苏州龙驰半导体科技有限公司吴同飞获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利电容耦合栅控结型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510067454.9，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权电容耦合栅控结型场效应晶体管是由吴同飞设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容耦合栅控结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供了一种电容耦合栅控结型场效应晶体管，包括：衬底和外延层、漏极；沟槽，自外延层的上表面向下形成；第一掺杂类型的沟槽型的栅，形成在沟槽的内壁和底部；用于连接源极电压的第一源极电极，形成在栅的底部之上，栅和第一源极电极连接使得两者同电势；沟槽型的介质层，形成在第一源极电极之上的；栅极电极，填充在介质层的内壁和底部；第一掺杂类型的源区，至少间隔设置在栅的一侧；源区和第一源极电极各自连接源极电压；第二掺杂类型的沟道区，形成在源区和栅之间；其中，源区、沟道区、栅之下的结构作为第二掺杂类型的栅周围结构，栅、栅周围结构形成PN结。本申请解决了开关损耗较大的技术问题，也提高体二极管的导通能力。
本发明授权电容耦合栅控结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底11和第二掺杂类型的外延层、漏极12，所述外延层位于所述衬底之上，所述漏极位于所述衬底的背侧； 沟槽，自所述外延层的上表面向下形成； 第一掺杂类型的沟槽型的栅5，形成在所述沟槽的内壁和底部； 用于连接源极电压的第一源极电极9，形成在所述栅5的底部之上，所述栅5和第一源极电极9连接使得两者同电势； 沟槽型的介质层6，形成在所述第一源极电极9之上的； 栅极电极7，填充在所述介质层的内壁和底部； 第一掺杂类型的源区1，至少间隔设置在所述栅5的一侧；所述源区1和所述第一源极电极9各自连接源极电压； 第二掺杂类型的沟道区4，形成在所述源区1和所述栅5之间； 其中，所述源区1、沟道区4、栅5之下的结构作为第二掺杂类型的栅周围结构，栅5、栅周围结构形成PN结。
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