上海华虹宏力半导体制造有限公司吴尚泽获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利深沟槽隔离的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105517.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权深沟槽隔离的制造方法是由吴尚泽;马健;胡君;段文婷;令海阳设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本深沟槽隔离的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深沟槽隔离的制造方法，提供第一导电类型的衬底，在衬底表面进行第二导电类型的杂质注入，形成第二导电类型的埋层；形成至少两层的第二导电类型的外延层，每层外延层形成后，均在在其表面进行第二导电类型的杂质注入，形成第二导电类型的深阱，在最上层的外延层的深阱形成之后进行退火，使得深阱与埋层连接，通过每层外延层均进行注入降低整个退火过程中埋层和衬底注入离子的扩散；在外延层上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，之后形成深沟槽隔离结构。本发明用较少的退火就可以将深阱与埋层连接，使得深阱上、下扩减小，深沟槽隔离结构深度因此可以减小，衬底重掺杂的离子上扩减小，因此浅掺杂的衬底厚度可以减小。
本发明授权深沟槽隔离的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽隔离的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面进行第二导电类型的杂质注入，形成第二导电类型的埋层； 步骤二、形成至少两层的第二导电类型的外延层，每层所述外延层形成后，均在在其表面进行第二导电类型的杂质注入，形成第二导电类型的深阱，在最上层的所述外延层的所述深阱形成之后进行退火，使得所述深阱与所述埋层连接，通过每层所述外延层均进行注入降低整个所述退火过程中所述埋层和所述衬底注入离子的扩散； 步骤三、在所述外延层上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，之后形成所述深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构的底部形成有第一导电类型的掺杂区，所述深沟槽隔离结构由所述外延层的上表面延伸至所述衬底中； 步骤四、利用离子注入在所述外延层上形成第二导电类型阱和位于所述第二导电类型阱上的第二导电类型重掺杂区。
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