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龙图腾网获悉华南理工大学;中国电力科学研究院有限公司申请的专利一种芯片多层薄膜的制作装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510222900.9，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种芯片多层薄膜的制作装置及方法是由喻婷婷;李明轩;余佶成;曾繁鹏;高欣雯设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片多层薄膜的制作装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片镀膜技术领域，公开了一种芯片多层薄膜的制作装置及方法，包括基座；固定座设置于基座上，固定座内设置有两侧敞开的第一腔体；放置架设置于第一腔体内，放置架的轴心处固定连接有转向轴，转向轴与固定座转动连接，放置架上周向设置有多个型腔，型腔内用于装配芯片；一对沉积室可滑动地设置于基座上，沉积室内设置有朝向固定座敞开的第二腔体；第一驱动机构用于驱动转向轴转动；第二驱动机构用于驱动一对沉积室沿基座滑动；当一对沉积室与固定座贴合时，第一腔体与一对第二腔体之间密封连通，以使得在放置架转动时，芯片能够在一对第二腔体中交替移动，本发明能够在芯片表面交替形成多层薄膜，保障镀膜质量。

本发明授权一种芯片多层薄膜的制作装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片多层薄膜的制作装置，其特征在于，包括： 基座1； 固定座2，设置于所述基座1上，所述固定座2内设置有两侧敞开的第一腔体； 放置架5，设置于所述第一腔体内，所述放置架5的轴心处固定连接有转向轴12，所述转向轴12与所述固定座2转动连接，所述放置架5上周向设置有多个型腔6，所述型腔6内用于装配芯片； 一对沉积室3，可滑动地设置于所述基座1上，一对所述沉积室3分别位于所述固定座2两侧，所述沉积室3内设置有朝向所述固定座2敞开的第二腔体； 第一驱动机构，用于驱动所述转向轴12转动； 第二驱动机构，用于驱动一对所述沉积室3沿所述基座1滑动； 当一对所述沉积室3与所述固定座2贴合时，所述第一腔体与一对所述第二腔体之间密封连通，以使得在所述放置架5转动时，所述芯片能够在一对所述第二腔体中交替移动； 所述第二腔体的敞开端设置有密封条14； 所述沉积室3上设置有多个与所述第二腔体相连通的引气管15； 所述引气管15上设置有控制阀16； 所述沉积室3上设置有与所述第二腔体相连通的真空泵11。

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