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龙图腾网获悉深圳基本半导体股份有限公司申请的专利功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942120.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块是由周福鸣;丁宇鹏;和巍巍;张备衔设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块。所述布局结构的负极功率端子、下桥臂芯片、上桥臂芯片和交流功率端子沿基板第一方向顺序排列，且各负极功率端子沿基板第二方向排列，并分别设置于各第一金属层上，各下桥臂芯片沿基板第二方向排列，并分别设置于各第二金属层上，各上桥臂芯片沿基板第二方向排列，均设置于第四金属层上，各交流功率端子沿基板第二方向排列，并分别设置于各第三金属层上，正极功率端子和各上桥臂芯片沿基板第二方向顺序排列，并设置于第四金属层上，本申请的功率半导体模块的布局结构，电流从上桥臂芯片的一侧出流给下桥臂芯片，另一侧出流给交流功率端子，提高了功率半导体器件的空间利用率。

本发明授权功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块的布局结构，其特征在于，包括：基板、至少一对下桥臂芯片和上桥臂芯片、与所述下桥臂芯片数量相同的负极功率端子、与所述下桥臂芯片数量相同的交流功率端子和一个正极功率端子； 所述基板上设置有与所述下桥臂芯片数量相同的第一金属层、第二金属层、第三金属层，以及一个第四金属层； 所述负极功率端子、所述下桥臂芯片、所述上桥臂芯片和所述交流功率端子沿所述基板的第一方向顺序排列，且各所述负极功率端子沿所述基板的第二方向排列，并分别设置于各所述第一金属层上，各所述下桥臂芯片沿所述基板的第二方向排列，并分别设置于各所述第二金属层上，各所述上桥臂芯片沿所述基板的第二方向排列，并均设置于所述第四金属层上，各所述交流功率端子沿所述基板的第二方向排列，并分别设置于各所述第三金属层上； 所述正极功率端子和各所述上桥臂芯片沿所述基板的第二方向顺序排列，并设置于所述第四金属层上； 所述基板上还设置有至少一个信号端子金属层，每个信号端子金属层上用于设置一个信号端子； 各所述信号端子金属层沿所述基板的第二方向与所述第一金属层并列排布，及沿所述基板的第二方向与各所述第三金属层并列排布。

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