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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利采用逆污染进行验证机台测试精度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119901801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411890420.1，技术领域涉及：G01N27/626；该发明授权采用逆污染进行验证机台测试精度的方法是由李松鹏;周桂丽;戴潮设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用逆污染进行验证机台测试精度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用逆污染进行验证机台测试精度的方法，所属机台精度检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用VPD机台生成HF蒸汽对硅片表面进行气象腐蚀。第二步：随后VPD机台扫描头扫描收集硅片表面金属沾污，接着在VPD机台对硅片进行烘干操作。第三步：进行过表面清洁的硅片放置于陶瓷加热板上。第四步：将标液均匀滴在硅片表面。第五步：溶液低温烘干。第六步：使用ICP‑MS测试VPD收集的逆污染溶液。使用VPD机台配置的混合腐蚀液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，保证了实验硅片的洁净度，去除了外源金属污染的影响，腐蚀液的回收和测试也全程由机台自动完成，保证了测试数据的精度和准确度。

本发明授权采用逆污染进行验证机台测试精度的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用逆污染进行验证机台测试精度的方法，其特征在于：使用的设备和工具包括元素检测机台、真空吸笔、陶瓷加热板、VPD机台、腐蚀液和20ppt逆污染标准溶液； 验证方法包括如下操作步骤： 第一步：硅片表面进行清洁，采用VPD机台生成HF蒸汽对硅片表面进行气相腐蚀，硅片表面由亲水性转变为疏水性； 第二步：随后VPD机台扫描头扫描收集硅片表面金属沾污，扫描头需要扫描收集硅片表面整面的金属杂质，完成金属杂质收集后，将腐蚀液妥善报废，接着在VPD机台对硅片进行烘干操作； 第三步：硅片放置于陶瓷加热板上，其转移过程使用真空吸笔操作，转移过程中注意不要让异物碰触硅片已清洁面； 第四步：用移液枪吸取20ppt逆污染标准溶液，吸取的体积一共为1ml,然后将标液均匀滴在硅片表面，液滴应尽量小，液滴数量应尽量多，均匀滴在硅片整面； 第五步：溶液低温烘干时，加热板温度设置为25摄氏度，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大； 溶液低温烘干后，待硅片表面液滴不可见时，用真空吸笔将硅片转移至片盒中，用VPD进行表面的金属收集，VPD操作过程均为机台自动进行，全程无人为操作，保证金属收集过程中的洁净度； 第六步：使用ICP‑MS测试VPD收集的逆污染溶液。

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