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龙图腾网获悉无锡北微传感科技有限公司申请的专利一种MEMS器件架构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119858892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411797897.5，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS器件架构及制备方法是由黄小浚;余未;陈丽娜;时广轶;王春波设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS器件架构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS器件架构，包括盖帽层、器件层和衬底层，盖帽层和器件层键合，键合完成后的整体和衬底层键合，盖帽层基于第一硅基板制造而成，盖帽层底部设置有空腔结构，盖帽层内设置有高深槽结构，高深槽结构的槽壁设置有二氧化硅薄膜，高深槽结构内沉积填充有多晶硅，第一硅基板上表面设置有二氧化硅层；器件层基于SOI晶圆制作而成，包括由顶层硅组成的第一硅结构层、埋氧化层和由背衬底硅组成的第二硅结构层；衬底层包括第二硅基板，第二硅基板顶面设置有底层空腔，第二硅基板底面开设有排气孔。本发明结合深槽刻蚀、多晶硅填槽和键合技术，利用SOI晶圆和聚酰亚胺层等先进材料，实现了卓越的信号隔离和多种MEMSIMU应用的灵活性。

本发明授权一种MEMS器件架构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件架构，其特征在于，包括盖帽层1、器件层2和衬底层3，所述盖帽层1和器件层2键合，键合完成后的整体和衬底层3键合，所述盖帽层1基于第一硅基板100制造而成，所述盖帽层1底部设置有空腔结构104，所述盖帽层1内设置有高深槽结构，所述高深槽结构的槽壁设置有二氧化硅薄膜102，所述高深槽结构内沉积填充有多晶硅103，所述第一硅基板100上表面设置有二氧化硅层101； 所述器件层2基于SOI晶圆制作而成，包括由顶层硅201组成的第一硅结构层、埋氧化层202和由背衬底203组成的第二硅结构层；在所述器件层2上，形成加速度计和陀螺仪的悬臂梁和自由质量块结构； 所述衬底层3包括第二硅基板300，所述第二硅基板300顶面设置有底层空腔301，所述第二硅基板300底面开设有排气孔302；所述底层空腔301用于分区封装，通过排气孔302和封装工艺得到加速度计和陀螺仪对应的气体腔和真空腔。

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