北京科技大学张跃获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510034590.8，技术领域涉及：C23C14/14；该发明授权一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法是由张跃;徐明杰;张铮;张先坤;洪孟羽;王玉南;尚金森;刘明蕊设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。所述基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处理，在衬底表面获得范德华接触的介电层。该方法利用易挥发性材料作为介电层材料生长的籽晶层和形成范德华间隙的牺牲层，避免了原位沉积对二维半导体材料造成的损伤以及直接沉积的介电层材料致密度不足、薄膜厚度不均匀问题，优化了晶体管器件的构筑工艺。该方法无需通过转移就可以实现原位沉积的介电层的范德华接触，与硅基晶体管构筑工艺兼容，有望应用于硅基制程中。
本发明授权一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处理，在衬底表面获得范德华接触的介电层； 所述易挥发性材料包括Te、S、Se中的一种或多种； 所述后处理的方式包括退火处理； 所述退火处理包括真空退火处理、Se蒸气氛围退火处理、Te蒸气氛围退火处理或S蒸气氛围退火处理； 所述真空退火处理的条件包括：退火温度为80~300 ℃，退火真空度为2.1×10‑5~1×10‑9 mbar，退火时间为0.5~3 h，退火气氛为Ar或N2，气流量为0~100 sccm。
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