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龙图腾网获悉北京亦盛精密半导体有限公司申请的专利一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119822843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510103052.X，技术领域涉及：C04B35/575；该发明授权一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用是由姚瑶;张慧;金昌民;李靖晗;聂中原;张浩然设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体零部件材料的技术领域，具体涉及一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用。具体为：将水洗干净的稻壳浸泡于弱酸性水溶液中，使用前置于酸性水溶液中沸煮，清洗烘干；将烘干所得稻壳低温炭化，冷却后球磨过筛；进一步与碱水溶液水浴加热搅拌，过滤；滤液为硅酸盐水溶液B；干燥滤渣D；将滤渣D保温，冷却后洗涤，得到稻壳碳E，干燥；将硅酸盐水溶液B和稻壳碳E进行球磨，干燥至恒重，得到疏松块体F；将疏松块体F灼烧，得到β‑SiC粉末；将β‑SiC粉末超细碳化硅粉末混合烧结，即得β‑SiC烧结体。本申请制得碳化硅材料能够满足半导体制造过程所需的高纯度、高密度要求。

本发明授权一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高纯低电阻率β相碳化硅材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤： 1将稻壳与水按照1:1‑5的体积比混合，充分搅拌后取出上层稻壳置于弱酸性水溶液中备用；使用前，将稻壳置于酸性水溶液中沸煮2‑5次，清洗，烘干； 2将烘干所得稻壳置于450‑600℃的低氧环境下保温1‑6h，冷却后以100‑200rmin的转速球磨1‑4h，得到炭化稻壳粉；过150‑300目细筛，留筛下炭化稻壳粉A； 3将所述炭化稻壳粉A与10‑50wt%的碱水溶液在90‑100℃下水浴加热搅拌2‑4h，过滤；所得滤液为硅酸盐水溶液B；所得滤渣D干燥；所述碱水溶液中的碱必须含氮元素； 4将所述滤渣D置于600‑800℃真空或惰性气体保护下保温1‑3h，冷却后洗涤至中性，得到稻壳碳E，干燥； 5将所述硅酸盐水溶液B和所述稻壳碳E按照碳与硅的摩尔比为2 .3‑2 .5进行配料，以100‑200rmin的转速球磨1‑2h，干燥至恒重，得到疏松块体F； 6将所述疏松块体F置于1500‑1850℃下缓慢灼烧，得到β‑SiC粉末； 7将所述β‑SiC粉末与1‑30wt.%的平均粒径为10‑100nm的超细碳化硅粉末混合，在1900‑2000℃、30‑50MPa条件下烧结，即得β‑SiC烧结体。

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