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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利晶圆级增强型电场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410325708.8，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权晶圆级增强型电场传感器及其制备方法是由彭春荣;王俊鹏;毋正伟设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级增强型电场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶圆级增强型电场传感器及其制备方法，可以应用于电场传感器技术领域。该晶圆级增强型电场传感器及其制备方法包括：衬底，用于支撑电场敏感结构，衬底的表面设置有锚点；电场敏感结构，设置在衬底上，用于感应待测电场，其中，电场敏感结构包括以下任意一种：电荷感应式结构、静电力式结构、压电式结构、压阻式结构和引导电荷式结构；场增强盖板，场增强盖板位于电场敏感结构的上方，用于将待测电场进行集中，以便增强作用在电场敏感结构的电场强度；绝缘支撑结构层，设置在衬底的边缘，用于连接场增强盖板与衬底。

本发明授权晶圆级增强型电场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级增强型电场传感器，包括： 衬底，用于支撑电场敏感结构，所述衬底的表面设置有锚点； 电场敏感结构，设置在所述衬底上，用于感应待测电场，其中，所述电场敏感结构包括以下任意一种：电荷感应式结构、静电力式结构、压电式结构、压阻式结构和引导电荷式结构； 场增强盖板，所述场增强盖板位于所述电场敏感结构的上方，用于将所述待测电场进行集中，以便增强作用在所述电场敏感结构的电场强度，所述场增强盖板包括盖板和增强结构，所述盖板的上表面垂直于待测电场，所述盖板的下表面与绝缘支撑结构层接触，用于提高电场强度；所述增强结构位于所述电场敏感结构的正上方，所述增强结构位于所述盖板的上表面和或所述盖板的下表面，用于对所述待测电场进行集中，所述盖板与所述增强结构直接连接，或者在所述盖板与所述增强结构之间包括中层绝缘区，所述盖板与所述增强结构能通过设置于所述中层绝缘区中的导体柱连接，以对所述待测电场进行集中，以便于提高电场强度，其中，所述中层绝缘区为高介电常数材料，用于提高所述盖板和所述增强结构之间的电容值，以便于提高所述中层绝缘区下方结构电势； 绝缘支撑结构层，设置在所述衬底的边缘，用于连接所述场增强盖板与所述衬底。

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