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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利区分硅片表面OISF和体内OISF的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119804433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411761296.9，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权区分硅片表面OISF和体内OISF的方法是由王烨华设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本区分硅片表面OISF和体内OISF的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种区分硅片表面OISF和体内OISF的方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对硅片进行清洗和预处理。第二步：在氮气下进行退火。第三步：在湿氧环境下进行热处理，形成OISF。第四步：对热处理后的硅片进行第一次腐蚀处理。第五步：光学显微镜对腐蚀处理后的硅片进行检测，观测并记录OISF在硅片表面的分布位置和密度。第六步：进行第二次腐蚀处理。第七步：光学显微镜对腐蚀处理后的硅片进行检测，观测并记录OISF在硅片表面的分布位置和密度。第八步：根据两次OISF检测结果，对硅片的质量进行评估。具有操作简单和检测性能可靠的优点，解决了判断OISF是由单晶生长过程中产生还是加工过程中引入的问题。

本发明授权区分硅片表面OISF和体内OISF的方法在权利要求书中公布了：1.一种区分硅片表面OISF和体内OISF的方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：选取待检测的硅片，进行清洗和预处理； 由乙醇、丙酮、硅酸钠及去离子水经混合配制而成清洗液，对硅片进行清洗；乙醇的质量百分比浓度为5～6％，丙酮的质量百分比浓度为8～10％，硅酸钠的质量百分比浓度为4～6％，余量为去离子水； 第二步：将预处理后的硅片置于热处理设备中，在氮气下进行退火，从而在硅片靠近表面的区域形成DZ区； 在氮气下进行退火时，在温度为780℃进行保温退火3小时，接着在温度为1000℃进行保温退火16小时； 第三步：将退火后的硅片放置于热处理设备中，在湿氧环境下进行热处理，形成OISF； 第四步：对热处理后的硅片进行第一次腐蚀处理，以去除硅片表面的氧化物层，并暴露出潜在的OISF；第一次腐蚀处理采用腐蚀液浸泡3分钟，腐蚀量不超过DZ层深度； 第五步：光学显微镜对腐蚀处理后的硅片进行检测，观测并记录OISF在硅片表面的分布位置和密度； 第六步：进行第二次腐蚀处理；第二次腐蚀处理采用腐蚀液浸泡10分钟，使腐蚀量超过DZ层深度，到达体内缺陷层；DZ层深度基准为5um； 第七步：光学显微镜对腐蚀处理后的硅片进行检测，观测并记录OISF在硅片表面的分布位置和密度； 第八步：根据两次OISF检测结果，对硅片的质量进行评估。

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