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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种基于ITO台肩结构的Micro-RCLED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411964784.X，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种基于ITO台肩结构的Micro-RCLED器件及其制备方法是由汪炼成;林超宇;林蕴;冯佩设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ITO台肩结构的Micro-RCLED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于ITO台肩结构的Micro‑RCLED器件及其制备方法，其中器件包括由下至上依次布置的衬底层、键合金属层、第一反射镜层、ITO电流扩展层和氮化镓外延层，氮化镓外延层包括由下至上依次布置的p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层，键合金属层、ITO电流扩展层和第一反射镜层的台面尺寸依次变小呈工字型布置，氮化镓外延层的台面尺寸不大于ITO电流扩展层，在第一反射镜层和ITO电流扩展层外的键合金属层上设有与ITO电流扩展层底部台肩面对接布置的金属电极层，在n‑GaN层上设有DBR反射镜层，DBR反射镜层对器件发射光源的反射率小于第一反射镜层。本发明大幅提高Micro‑RCLED芯片量产中的良率，并在衬底转移中，创新性提出CMP‑ICP‑CMP减薄谐振腔层方法，降低了器件断路和器件失效的现象。

本发明授权一种基于ITO台肩结构的Micro-RCLED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ITO台肩结构的Micro‑RCLED器件，包括由下至上依次布置的衬底层1、键合金属层2、第一反射镜层3、ITO电流扩展层4和氮化镓外延层5，所述氮化镓外延层包括由下至上依次布置的p‑GaN层55、MQW层54和n‑GaN层53，其特征在于：所述键合金属层、ITO电流扩展层和第一反射镜层的台面尺寸依次变小呈工字型布置，所述氮化镓外延层的台面尺寸不大于ITO电流扩展层，在第一反射镜层和ITO电流扩展层外的键合金属层上设有与ITO电流扩展层底部台肩面对接布置的金属电极层6，在金属电极层上沉积向n‑GaN层顶部延伸布置的绝缘层7，在氮化镓外延层一侧的绝缘层上设有与金属电极层相对接的P型接触电极8，所述P型接触电极通过金属电极层、ITO电流扩展层与p‑GaN层连接形成的欧姆接触导电，在氮化镓外延层另一侧的绝缘层上设有n‑GaN层相对接的N型接触电极9，在n‑GaN层上设有DBR反射镜层10，该DBR反射镜层对器件发射光源的反射率小于第一反射镜层。

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