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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利晶圆、晶圆的制作方法、功率模块、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411801152.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权晶圆、晶圆的制作方法、功率模块、功率转换电路及车辆是由李小昆设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆、晶圆的制作方法、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种晶圆、晶圆的制作方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该晶圆包括外延层，外延层包括相对设置的第一表面和第二表面；晶圆还包括半导体器件和对位标记，对位标记设置于相邻半导体器件之间；半导体器件的至少部分膜层设置于外延层的第一表面，半导体器件的至少部分膜层设置于外延层的第二表面一侧；对位标记包括设置于第一表面的至少一个第一沟槽，第一沟槽从第一表面延伸至外延层内；至少一个第一区域，设置于第一沟槽的底部，第一区域为掺杂区。本发明实施例提供的技术方案提高了晶圆制作过程中对位标记的清晰度，改善晶圆的制作精度。

本发明授权晶圆、晶圆的制作方法、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括外延层，所述外延层包括相对设置的第一表面和第二表面； 所述晶圆还包括半导体器件和对位标记，所述对位标记设置于相邻所述半导体器件之间； 所述半导体器件的至少部分膜层设置于所述外延层的第一表面，所述半导体器件的至少部分膜层设置于所述外延层的第二表面一侧； 所述对位标记包括设置于所述第一表面的至少一个第一沟槽，所述第一沟槽从所述第一表面延伸至所述外延层内；至少一个第一区域，设置于所述第一沟槽的底部，所述第一区域为掺杂区； 所述对位标记包括第一对位标记和第二对位标记；所述第一对位标记的所述第一沟槽的宽度小于所述第二对位标记的所述第一沟槽的宽度；所述第二对位标记设置为所述第一对位标记的备用对位标记； 所述半导体器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第三表面和第四表面，所述半导体本体还包括阱区和第二区域，所述第二区域设置于所述第三表面，所述阱区设置于所述第二区域远离所述第三表面的一侧，所述第三表面还设置有第二沟槽，所述第二沟槽从所述第三表面延伸至所述半导体本体中；所述第二区域为第一掺杂类型，所述阱区为第二掺杂类型； 栅极结构，位于所述第二沟槽内； 漏极，位于所述第四表面； 源极，位于所述第三表面； 所述外延层设置于所述阱区和所述漏极之间；所述第一区域的掺杂浓度低于所述第二区域的掺杂浓度；所述第一区域的掺杂浓度低于所述阱区的掺杂浓度。

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