中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所李新然获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利Micro-LED截面表面电势测试的制样方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920062.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权Micro-LED截面表面电势测试的制样方法及其应用是由李新然;苏旭军;陈晶晶;徐科设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED截面表面电势测试的制样方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED截面表面电势测试的制样方法及其应用。Micro‑LED截面有源区表面电势的测试方法包括：制备Micro‑LED截面样品，应用氩离子束抛光工艺对所述样品截面进行抛光，形成表面粗糙度为纳米尺寸量级的测试样品；利用开尔文探针显微镜KPFM对所述测试样品进行表面电势的测试，通过制作截面样品，模拟刻蚀过程，KPFM不仅可以表征样品的表面形貌，还可以获得样品表面的电学性能‑表面电势，可以更加直观对比不同区域表面电势的不同。进而可以测算半导体材料的功函数，同时可以建立能带模型，分析表面处载流子的输运情况。
本发明授权Micro-LED截面表面电势测试的制样方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种Micro‑LED截面表面电势测试的制样方法，其特征在于，包括： 将块状的Micro‑LED外延片按照GaN[10‑10]或[11‑20]晶带轴切割形成两个样品块，所述样品块包括沿远离C面的方向依次设置的p型区、有源区、n型区，切割形成的截面包括p型区、有源区、n型区的侧壁； 将两个样品块的C面粘合，两个样品块的截面位于同一侧，且将两个样品块的C面之间的对粘缝的宽度控制在1μm以内，从而获得对粘样品； 对包括对粘样品的截面的选定表面进行抛光处理，直至所述选定表面的粗糙度达到纳米量级，从而获得Micro‑LED截面样品，所述Micro‑LED截面样品的待测界面包括两个所述截面。
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