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龙图腾网获悉帝尔激光科技(无锡)有限公司申请的专利一种背接触式太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311246353.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触式太阳能电池及其制备方法是由张松;陆红艳设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触式太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种背接触式太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，制备方法中提供了一种掩膜层级的制备方式，降低了掩膜层级的制备和去除难度，而且避免了掩膜层湿法刻蚀中存在的横向钻蚀问题，在N区和P区之间还包括的PN隔离区，在交替的两次掩模处理过程中均形成了横向的物理隔离，保证P区和N区之间的有效隔离，如此，也使得采用本申请的制备方法制备而成的背接触式太阳能电池具有较高的转换效率。

本发明授权一种背接触式太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触式太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供预处理的N型硅片衬底，所述N型硅片衬底上包括相互交叉的N区和P区，在所述N区和所述P区之间还包括PN隔离区； 在所述N型硅片衬底的背面沉积第一钝化层； 在所述第一钝化层上贴合形成第一掩膜图案层，所述第一掩膜图案层为采用激光对第一掩膜层进行图案化处理形成，所述第一掩膜图案层包括在第一区形成的第一区预设图形、在PN隔离区保留材料形成的层以及在第二区去除材料形成的镂空； 溶液清洗以使所述第一区的第一钝化层形成所述第一区预设图形，所述第一区预设图形中的镂空部分露出所述N型硅片衬底； 沉积第一非晶硅复合层，以机械方式去除所述第一掩膜图案层，以使所述第一区的所述第一非晶硅复合层形成所述第一掩膜图案层的反转图案； 在所述第一钝化层上贴合形成第二掩膜图案层，所述第二掩膜图案层为采用激光对第二掩膜层进行图案化处理形成，所述第二掩膜图案层包括在第二区形成的第二区预设图形、在PN隔离区保留材料形成的层以及在第一区去除材料形成的镂空； 溶液清洗以使所述第二区的第一钝化层形成所述第二区预设图形，所述第二区预设图形中的镂空部分露出所述N型硅片衬底； 沉积第二非晶硅复合层，以机械方式去除所述第二掩膜图案层，以使所述第二区的所述第二非晶硅复合层形成所述第二掩膜图案层的反转图案； 退火处理，退火温度在800℃‑950℃； 对所述N型硅片衬底的背面进行正、负电极金属化处理得到背接触式太阳能电池。

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