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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311250181.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其采用原子量大于Ge的n型离子代替现有技术中的nMOS区源漏注入的磷离子和预非晶化注入的离子，由此能形成呈非晶硅状态的n型源漏注入区，省去现有技术中的预非晶化注入，从而简化工艺，降低工艺成本。所述原子量大于Ge的n型离子的注入相对现有技术的Ge、C等离子的预非晶化注入，更有助于增加多重晶粒交叉点，能使nMOS区的钴硅化物晶相转变温度降低，在不牺牲pMOS区的热稳定性的基础上，兼容了nMOS区和pMOS区对钴硅化物的形成以及对钴硅化物从高阻相向低阻相转化阶段的热处理温度的需求落差，避免了因该需求落差所导致的问题，能改善器件电阻。且后续源漏离子注入后的退火激活工艺在钴硅化物的形成之后进行，能进一步提高器件性能。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供具有nMOS区和pMOS区的衬底，并在所述nMOS区和所述pMOS区上形成栅极； 掩蔽所述pMOS区并进行n型离子注入，且n型离子中包括原子量大于Ge的n型离子，以在所述nMOS区的栅极两侧的衬底中形成呈非晶硅状态的n型源漏注入区，以及，掩蔽所述nMOS区并进行p型离子注入，以在所述pMOS区的栅极两侧的衬底中形成p型源漏注入区； 在所述nMOS区和pMOS区的衬底上形成硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层暴露出所述n型源漏注入区的至少部分表面、所述p型源漏注入区的至少部分表面和各个所述栅极顶部的至少部分表面； 沉积金属钴并进行先后两次不同的快速热处理，以在所述n型源漏注入区、所述p型源漏注入区和各个所述栅极的暴露表面上形成钴硅化物，同时将所述钴硅化物的高阻相转变为低阻相； 在所述钴硅化物上保形地沉积接触孔刻蚀停止层； 分别用尖峰热退火工艺和激光尖峰退火工艺进行热处理，激活所述n型源漏注入区中的所述n型离子和所述p型源漏注入区中的所述p型离子。

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