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龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411859456.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件是由高宗朋;曾大杰设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件，包括：多个平行排列的穿过阱区的栅极沟槽结构和发射极沟槽结构。栅极导电材料层连接到栅极。发射极导电材料层连接发射极。在阱区的底部形成有漂移区，在漂移区的底部形成有集电区。在阱区的选定区域的表面区域中形成有发射区。发射区位于各栅极沟槽结构的两侧并和栅极沟槽结构的侧面自对准；发射区不和发射极沟槽结构的侧面接触。发射区的顶部通过第一接触孔连接到发射极，第一接触孔的底部形成有接触注入区。发射极沟槽的宽度小于栅极沟槽的宽度，用于增加沟槽结构之间的台面区的宽度并从而增加第一接触孔到导电沟道的距离，从而减少接触注入区对器件的阈值电压的影响。本发明能提高器件的阈值电压的均一性。

本发明授权IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：多个平行排列的沟槽结构；一部分所述沟槽结构作为栅极沟槽结构以及另一部分所述沟槽结构作为发射极沟槽结构； 所述栅极沟槽结构包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层； 所述发射极沟槽结构包括发射极沟槽、形成于所述发射极沟槽内侧表面的发射极介质层和填充于所述发射极沟槽中的发射极导电材料层； 所述栅极导电材料层连接到由正面金属层组成的栅极； 所述发射极导电材料层连接到由正面金属层组成的发射极； 各所述栅极沟槽结构和各所述发射极沟槽结构都穿过第二导电类型掺杂的阱区；被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成第一导电类型的导电沟道； 在所述阱区的底部形成有第一导电类型掺杂的漂移区； 在所述漂移区的底部形成有第二导电类型重掺杂的集电区； 在所述阱区的选定区域的表面区域中形成有第一导电类型重掺杂的发射区； 所述发射区位于各所述栅极沟槽结构的两侧并和对应的所述栅极沟槽结构的侧面自对准；所述发射区不和所述发射极沟槽结构的侧面接触； 各所述栅极沟槽结构两侧的所述发射区的顶部通过第一接触孔连接到所述发射极，所述第一接触孔的底部形成有接触注入区，所述接触注入区实现所述第一接触孔和所述阱区的连接； 所述发射极沟槽的宽度小于所述栅极沟槽的宽度，用于增加所述沟槽结构之间的台面区的宽度并从而增加所述第一接触孔到所述导电沟道的距离，从而减少所述接触注入区对器件的阈值电压的影响。

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