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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119695623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411817056.6，技术领域涉及：H01S3/0941；该发明授权一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源是由钟凯;刘宇鑫;池静;张献中;李方杰;郑逸哲;李吉宁;陈锴;徐德刚;姚建铨设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源在说明书摘要公布了：本发明公开一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源，包括半导体激光器、聚焦透镜、微片亚纳秒激光器、微片光参量振荡器和温控片；半导体激光器用于产生泵浦光，经聚焦透镜汇聚后入射到微片亚纳秒激光器，产生亚纳秒基频激光，亚纳秒基频激光泵浦微片光参量振荡器实现频率变换，输出亚纳秒参量光，通过温控片精确控制微片光参量振荡器的温度，实现亚纳秒参量光波长调谐。其中，微片光参量振荡器由非线性晶体构成，双端镀膜构成微片光参量振荡器的谐振腔，基于腔相位匹配原理，利用微片光参量振荡器的谐振腔反射引入的额外相位变化来补偿非线性晶体色散造成的相位失配。该光源结构简单、高度集成、稳定性高，能够满足极端恶劣场景的应用需求。

本发明授权一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源在权利要求书中公布了：1.一种双微片结构的可调谐亚纳秒激光源，其特征在于，包括依次设置的半导体激光器1、聚焦透镜2、微片亚纳秒激光器3、微片光参量振荡器4和温控片5；所述的半导体激光器1、聚焦透镜2、微片亚纳秒激光器3、微片光参量振荡器4共轴放置，所述微片光参量振荡器4固定在所述温控片5上；所述半导体激光器1产生泵浦光，经所述聚焦透镜2汇聚后入射到所述微片亚纳秒激光器3，产生亚纳秒基频激光，所述亚纳秒基频激光的脉冲持续时间为百皮秒到纳秒之间；所述亚纳秒基频激光泵浦所述微片光参量振荡器4，实现亚纳秒激光的非线性光学频率变换，输出亚纳秒参量光，所述亚纳秒参量光的脉冲持续时间为百皮秒到纳秒之间，其中，所述微片光参量振荡器4由非线性晶体构成，双端镀膜构成所述微片光参量振荡器的谐振腔，基于腔相位匹配原理，利用微片光参量振荡器的谐振腔反射引入的额外相位变化来补偿非线性晶体色散造成的相位失配；通过所述温控片5控制所述微片光参量振荡器4的温度，实现亚纳秒参量光波长调谐；所述微片亚纳秒激光器3，靠近聚焦透镜2的激光晶体31端面镀有泵浦光波段增透膜及亚纳秒基频激光波段高反膜，靠近微片光参量振荡器4的可饱和吸收体32端面镀有泵浦光波段增透膜及亚纳秒基频激光波段10%~90%的部分透过膜，镀膜的两端构成所述微片亚纳秒激光器3的谐振腔； 所述激光晶体31为掺杂Nd3+或Yb3+的YAG激光晶体，具体为Nd:YAG或Yb:YAG，适用于吸收所述泵浦光并产生微片亚纳秒激光器的谐振腔内的振荡激光，输出亚纳秒基频激光波长为1064 nm或1030 nm；所述可饱和吸收体32为掺杂Cr4+的调Q晶体，具体为Cr:YAG，适用于调节微片亚纳秒激光器的谐振腔的损耗，实现亚纳秒脉冲激光输出。

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