泉州三安半导体科技有限公司王晶获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411729577.6，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由王晶;杨洋;郭桓邵;彭钰仁设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置，其中，发光二极管，包括衬底、外延结构、第一电极、第一反射层、第二反射层。衬底具有相对设置的衬底正面及衬底背面，垂直于衬底正面的延伸方向称为轴向。外延结构形成在衬底正面一侧，外延结构包括自衬底正面依次叠置的第一半导体层、有源层、第二半导体层。第一电极位于第二半导体层上方与第二半导体层导电连接，第一反射层设置于第一电极与第二半导体层之间，第二反射层设置于第一半导体层与衬底之间，至少第一电极下方对应的第二反射层的表面设置为具有倾斜壁面的坡状结构。本申请的技术方案优化了光的提取效率，减少了因电极遮挡而导致的光损失。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底1，具有相对设置的衬底正面及衬底背面，垂直于所述衬底正面的延伸方向称为轴向； 外延结构2，形成在所述衬底正面一侧，所述外延结构2包括自所述衬底正面依次叠置的第一半导体层21、有源层22、第二半导体层23； 第一电极3，位于所述第二半导体层23上方与所述第二半导体层23导电连接； 第一反射层4，设置于所述第一电极3与所述第二半导体层23之间； 第二反射层5，设置于所述第一半导体层21与所述衬底1之间，至少所述第一电极3下方对应的所述第二反射层5的表面设置为具有倾斜壁面的坡状结构51。
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