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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利栅槽填充的GaN UMOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411870299.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权栅槽填充的GaN UMOSFET及其制备方法是由于国浩;郝淳风;周家安;曾中明;张宝顺设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅槽填充的GaN UMOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种栅槽填充的GaNUMOSFET及其制备方法。所述UMOSFET包括半导体结构、槽栅结构、源极和漏极，该槽栅结构包括栅极和形成在半导体结构内的栅槽，该栅极至少局部设于栅槽内，并且栅极与栅槽内壁之间经介质层相互隔离，该介质层包括第一、第二介质层，该第一介质层连续覆盖栅槽内壁，该第二介质层为厚底电介质并填充于栅槽底部，且位于栅极与第一介质层之间。本申请通过在GaNUMOSFET的结构中设置包含厚底电介质的复合介质层，可以在不改变器件整体结构的基础上，有效抑制器件栅槽底部的峰值电场集中，且不改变漂移区整体电场分布趋势，因此不影响器件正向导通特性，从而有利于大幅增强器件的击穿特性。

本发明授权栅槽填充的GaN UMOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种栅槽填充的GaN UMOSFET，其特征在于，包括： 设置在衬底上的半导体结构，其包括从上到下依次设置的第一GaN层1、第二GaN层2、第三GaN层3和第四GaN层10，其中第一GaN层1和第四GaN层10均为n型，所述第二GaN层2、第三GaN层3分别为p型、u型； 槽栅结构，其包括栅槽11和栅极6，所述栅极6至少局部设于栅槽11内，所述栅槽11的槽口设于半导体结构的顶端面，槽底设于第二GaN层2的底端面或第三GaN层3内部，所述半导体结构的顶端面远离第四GaN层10，所述栅极6与栅槽11的内壁之间经介质层相互隔离，所述介质层包括第一介质层8和第二介质层9，所述第一介质层8至少连续覆盖栅槽内壁，所述第二介质层9至少填充于栅槽11的底部，并位于所述栅极6与第一介质层8之间，在所述栅槽11内第一介质层、第二介质层、栅极所占据的空间分别为所述栅槽容积的1~10%、1~10%、80~98%； 源极5，其与第一GaN层1电性接触； 漏极7，其与第四GaN层10电性接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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