买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海杉杉新材料有限公司申请的专利镁基复合材料、预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929081.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权镁基复合材料、预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池是由李昊;李波;张聪设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本镁基复合材料、预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池在说明书摘要公布了：本发明涉及一种镁基复合材料、预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池。该镁基复合材料由镁基体及分布在镁基体外表面上的MgO和Mg2Si组成；MgO和Mg2Si呈颗粒状均匀分布在镁基体的外表面上；镁基体与MgO的质量比大于1.71：1；镁基体与Mg2Si的质量比大于2.45：1。本发明的镁基复合材料作为镁源，大幅提升了氧化亚硅预镁反应的均匀性，能够有效改善材料的比容量和结构稳定性。本发明的镁基复合材料和预镁氧化亚硅材料制备方法简单、反应可控，无需特殊环境，具有良好的可操作性和工业化潜力。

本发明授权镁基复合材料、预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池在权利要求书中公布了：1.一种预镁氧化亚硅材料，其特征在于，所述预镁氧化亚硅材料包括内核、包覆在所述内核外的碳包覆层，所述内核包括镁基复合材料、硅酸镁化合物和氧化亚硅；所述碳包覆层为无定形碳层； 所述氧化亚硅的孔道内以及表面上沉积有所述的镁基复合材料和所述的硅酸镁化合物； 所述硅酸镁化合物为MgSiO3和Mg2SiO4； 所述镁基复合材料包含镁基体及分布在所述镁基体外表面上的MgO和Mg2Si； 所述MgO和所述Mg2Si呈颗粒状均匀分布在所述镁基体的外表面上； 所述镁基体与所述MgO的质量比大于1.71：1； 所述镁基体与所述Mg2Si的质量比大于2.45：1； 所述预镁氧化亚硅材料的硅元素的重量百分比为49 wt％‑54 wt％； 和或，所述预镁氧化亚硅材料的镁元素的重量百分比为2.5 wt％‑12.5 wt％； 和或，所述预镁氧化亚硅材料的氧元素的重量百分比为34 wt％‑41.5 wt％； 和或，所述预镁氧化亚硅材料的碳元素的重量百分比为2.5 wt％‑4 wt％； 其中，wt％为各元素的重量占所述预镁氧化亚硅材料的总重量的百分比。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海杉杉新材料有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路5550号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。