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龙图腾网获悉苏州恒影感知科技有限公司申请的专利一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411414668.0，技术领域涉及：G01N21/35；该发明授权一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器是由王程;李子晔;李昕;孙克强;朱袁畅设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器，包括焦平面阵列，焦平面阵列包括多个独立的光敏像元，焦平面阵列和读出电路相连形成红外焦平面探测器组件，光敏像元包括GaSb衬底，在GaSb衬底上依次设置的GaSb缓冲层、nInAsSb缓冲层、n型下欧姆接触层、n型InAsGaSb本征二类超晶格光吸收层、AlGaAsSb阻挡层和n型上欧姆接触层；各层外延材料部分区域刻蚀到底部n型接触层形成底部电极窗口，部分区域刻蚀到顶部n型接触层形成顶部电极窗口；n型上欧姆接触层上制备有Au纳米阵列作为等离激元结构；底部电极窗口上沉积制备有底部环形电极，顶部电极窗口处沉积制备有顶部电极，可精准高效的对SF6气体进行非接触、实时远距离监测，快速、准确地查找SF6气体的泄漏点。

本发明授权一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器在权利要求书中公布了：1.一种长波Ⅱ类超晶格SF6气体探测器，探测器包括焦平面阵列，焦平面阵列包括多个独立的光敏像元，焦平面阵列和读出电路相连形成红外焦平面探测器组件，光敏像元与相应的读出电路上的放大器单元一一对应，放大单元对光敏像元的光电流进行积分‑放大，再通过行列移位寄存器顺序读出，其特征在于：光敏像元包括GaSb衬底，在GaSb衬底上依次设置的GaSb缓冲层、n InAsSb缓冲层、n型下欧姆接触层、n型InAsGaSb本征二类超晶格光吸收层、AlGaAsSb阻挡层和n型上欧姆接触层；各层外延材料部分区域刻蚀到底部n型接触层形成底部电极窗口，部分区域刻蚀到顶部n型接触层形成顶部电极窗口；以及所述n型上欧姆接触层上制备有Au纳米阵列作为等离激元结构； 所述底部电极窗口上沉积制备有底部环形电极，所述顶部电极窗口处沉积制备有顶部电极； 各所述光敏像元的底部环形电极均通过金属薄膜连线与底部公用电极相连； Au纳米阵列的纳米阵列周期L为2µm、高40nm、直径1.5µm； Au纳米阵列设置在所述探测器背部。

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