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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411702345.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法是由吴琦;赵运茹设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法，包括以下步骤：辐射场具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时，利用阵元辐射场的解析式，通过叠加原理建立电扫阵列的近场辐射模型；辐射场不具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时，通过叠加各阵元的有源单元方向图，构建电扫阵列的近场辐射模型。本发明通过阵元辐射场解析式以及典型类别阵元的有源单元方向图结合波束扫描所需的激励相位调控，建立了电扫阵列近场辐射特性的近似计算模型，能够快速获取任意波束扫描角度下电扫阵列的近场辐射场强分布。

本发明授权一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法在权利要求书中公布了：1.一种电扫阵列近场辐射特性的快速建模方法，其特征在于：包括以下步骤： 辐射场具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时，利用阵元辐射场的解析式，通过叠加原理建立电扫阵列的近场辐射模型，包括： S101.给定电扫阵列参数与拟计算的近场场点位置； 所述步骤S101包括： 设所述电扫阵列为分布于xoy平面、以原点为几何中心的二维矩形栅格阵，电扫阵列参数包括阵列工作频率f，沿x轴和y轴分布的阵元数目M和N，沿x轴和y轴的阵元间距dx和dy，位于xoy平面的各阵元位置坐标xmn,ymn,zmn； 根据场区域划分的准则，阵列的近场区满足以下范围： 其中λ为波长，D为阵列孔径的最大尺寸；对于所述二维矩形栅格阵，阵列孔径的最大尺寸D采用下式近似计算： 所述拟计算的近场场点位置坐标x,y,z，根据阵列的近场区域范围确定，具体来说，需要场点位置坐标x,y,z到阵列中心0,0,0的距离满足所述阵列近场区范围，在满足此条件的情况下任意选取拟计算的近场场点位置，并将其转换为球坐标S102.获取阵元辐射场的解析表达式并作远区近似； S103.定义波束扫描角度并计算对应的各阵元复激励； S104.辐射场具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时的近场辐射特性计算； 辐射场不具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时，通过叠加各阵元的有源单元方向图，构建电扫阵列的近场辐射模型，包括： S201.按照步骤S101给定电扫阵列参数，并计算阵列孔径的最大尺寸及近场区范围，从而确定拟计算的近场场点位置； S202.读取全波仿真计算的各阵元的有源单元方向图，根据阵元所处的环境，考虑阵元上下左右临近的4个单元对各阵元进行分类，得到如下九个典型类别阵元： 第一类，当前阵元仅右方和下方有相邻阵元； 第二类，当前阵元仅上方、右方和下方有相邻阵元； 第三类，当前阵元仅上方和右方有相邻阵元； 第四类，当前阵元仅左方、右方和下方有相邻阵元； 第五类，当前阵元在左方、右方、上方和下方均有相邻阵元； 第六类，当前阵元仅左方、右方和上方有相邻阵元； 第七类，当前阵元仅左方和下方有相邻阵元； 第八类，当前阵元仅上方、左方和下方有相邻阵元； 第九类，当前阵元仅左方和上方有相邻阵元； 对于每一类典型类别阵元，仅选取该类别中任意一个阵元的有源单元方向图代替同类阵元的方向图； S203.按照步骤S103定义波束扫描角度并计算对应的各阵元复激励； S204.辐射场不具有解析解的阵元构成的电扫阵列波束扫描时的近场辐射特性计算。

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