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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901217.X，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法是由雷金澌;付成辛;刁睿;杨伟;杨金峰设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段：S100、第一阶段去除氧化物，将外延腔内温度升高至预设温度，并通入氢气，以去除硅表面氧化物；S200、第二阶段溶解杂质，向外延腔内通入氯化氢气体，以溶解腔体内的金属杂质及部分杂质；S300、第三阶段清洁，向外延腔内充入氢气，并通过尾气处理装置对外延腔内进行抽气处理，去除腔体内的反应物和杂质，通过实时监控外延腔内的压力并利用抽气泵调节抽气速率，确保外延腔内的压力达到交换腔压力的1.2倍，防止颗粒迁移，且采用逐步升温的方式，确保硅片表面氧化物完全去除，并将热应力控制在预设范围以内，避免因温差引起的颗粒生成。

本发明授权一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法在权利要求书中公布了：1.一种外延腔与交换腔之间产生颗粒的改善方法，其特征是，包括以下阶段： S100、第一阶段去除氧化物，将外延腔内温度升高至预设温度，并通入氢气，以去除硅表面氧化物；所述第一阶段去除氧化物具体包括：S110、首先对外延腔内进行升温处理，使腔内达到预设温度，以确保外延腔内稳定均匀，避免因温差引起颗粒生成；S120、然后通入氢气，氢气在预设温度下与硅片表面的氧化硅反应，产生水汽在挥发掉，氧化层被去除，此时通入氢气后外延腔内的压强在500‑700Torr；S130、在去除氧化层后，通过尾气处理装置往外延腔内充入氢气，气流量为60 slm，并吹扫60秒； 所述预设温度的范围为700‑900℃，并且在升温过程中，采用逐步升温的方式，每升高50℃保持稳定5分钟，以确保硅片表面氧化物完全去除；通过控制升温速率，将热应力控制在10 MPa以内，同时将颗粒生成量控制在每立方厘米不超过8个颗粒；其中，在达到预设温度后，控制氢气流量为40‑60slm，确保氢气与硅片表面氧化层充分反应，反应时间为10‑30分钟； S200、第二阶段溶解杂质，向外延腔内通入氯化氢气体，以溶解腔体内的金属杂质及部分杂质；所述第二阶段溶解杂质具体包括：S210、在氢气反应过后，保持外延腔体内的温度稳定，确保外延腔内的温度稳定在700‑900℃；S220、向外延腔内通入氯化氢气体，氯化氢气体能与上一阶段中氢气与氧化硅反应后的产物水汽结合，生成盐酸，盐酸可以溶解硅片表面的金属颗粒及部分其它杂质； S300、第三阶段清洁，向外延腔内充入氢气，并通过尾气处理装置对外延腔内进行抽气处理，去除腔体内的反应物和杂质；所述第三阶段清洁具体包括：S310、向外延腔内通入氢气作为清洁气体；S320、通过压力传感器实时监控外延腔内的压力并反馈至尾气处理装置的抽气泵上，利用抽气泵调节抽气速率控制外延腔的压力，使外延腔内的压力和交换腔的压力保持在预设值内；S330、将外延腔内的杂质通过尾气处理装置的处理泵排出；S340、在外延生长结束后，单独对腔体进行3分钟的吹扫，将外延后腔内残余的小颗粒从尾气管道吹出，并且在吹扫步骤中，氢气流量可以调设为高流量或低流量；S350、最后，使用颗粒检测设备监测外延腔内的颗粒浓度，确保清洁效果；其中，在整个第三阶段清洁过程中，外延腔内压力达到交换腔压力的1.2倍； 在第三阶段清洁过程中，所述氢气的吹扫时间为60‑120s，氢气的流量为40‑60slm；并且在S340中对外延腔进行吹扫的步骤中，通过多级吹扫，先以高流量氢气60slm±5吹扫30秒，然后以低流量氢气40slm±5吹扫30秒，清除腔内的小颗粒。

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