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龙图腾网获悉湖南大合新材料有限公司申请的专利一种中子探测器实现入射中子定位的方法、装置、计算设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411673084.5，技术领域涉及：G01T3/06；该发明授权一种中子探测器实现入射中子定位的方法、装置、计算设备及存储介质是由唐婧;赵斌清;陈坚;黄均平设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中子探测器实现入射中子定位的方法、装置、计算设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种中子探测器实现入射中子定位的方法、装置、计算设备及存储介质，其方法包括：通过在中子探测器的闪烁晶体表面进行镀硼膜处理，得到具有镀硼膜的涂硼闪烁晶体的中子探测器；在得到具有镀硼膜的涂硼闪烁晶体的中子探测器后，根据每个事件产生的触发信号采集中子探测器各通道的脉冲波形数据，并采用电荷积分法计算每个事件各通道的脉冲波形数据的电荷比值；利用所述每个事件各通道的脉冲波形数据的电荷比值，判定各事件为中子事件还是伽马事件；在判定事件为中子事件时，采用光子响应函数二维高斯分布法，计算所述中子事件所发生时中子的入射位置。

本发明授权一种中子探测器实现入射中子定位的方法、装置、计算设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种中子探测器实现入射中子定位的方法，其特征在于，包括： 通过将碳化硼B4C或氧化硼B2O3薄膜沉积在中子探测器的闪烁晶体表面，得到具有镀硼膜的闪烁晶体的中子探测器； 在得到具有镀硼膜的涂硼闪烁晶体的中子探测器后，根据每个事件产生的触发信号采集中子探测器各通道的脉冲波形数据，并计算每个事件各通道的脉冲波形数据的电荷比值，其包括：R＝It2It1+It2，R是电荷比值；It1是从脉冲起始点到t1时刻脉冲幅度对时间积分得到电荷值；It2是从脉冲t1时刻到脉冲尾部脉冲幅度对时间积分得到电荷值； 利用所述每个事件各通道的脉冲波形数据的电荷比值，判定各事件为中子事件还是伽马事件； 在判定事件为中子事件时，根据中子在入射位置处发生核反应所产生的光子强度，构建二维光子强度的高斯分布表达式；通过对所述二维光子强度的高斯分布表达式进行一系列矩阵变换和解矩阵处理，得到所述中子事件所发生核反应时中子的入射位置，包括： 通过对二维光子强度的高斯分布表达式的等式两边同时取对数，得到第一表达式： 其中，定义：其中，r表示转换参数； 对所述第一表达式进行矩阵变换，得到第一矩阵表达式： 其中，定义：其中，B、α、Λ、e、αi、b、表示各转换参数； 对所述第一矩阵表达式进行解矩阵处理，得到中子的入射位置： 其中，Q表示转换矩阵参数； 所述二维光子强度的高斯分布表达式包括： 其中，Qxi,yi分别是第i行和第i列硅光电倍增管SiPM收集的光子强度；σx和σy分别是在x方向和y方向的光子分布展宽；Qb是本底光子强度和噪声；xi和yi分别是每个SiPM像素行位置和列位置；x0和y0分别是中子真实入射的行位置和列位置；A是真实发光强度。

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