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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利深沟槽隔离结构及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510045.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权深沟槽隔离结构及工艺方法是由段文婷;胡君;陈云骢;令海阳;刘冬华;钱文生设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本深沟槽隔离结构及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深沟槽隔离结构及其制造工艺方法，在第一导电类型的衬底上具有第二导电类型的注入层，在所述的注入层上具有第二导电类型的深阱；在所述的深阱表层具有浅槽隔离结构，在所述的浅槽隔离结构外侧具有第二导电类型的阱区；在所述的浅槽隔离结构中具有刻蚀形成深沟槽；所述的深沟槽中具有分段填充的填充材料；其中深沟槽中的下部填充氧化硅材质，深沟槽中的上部填充多晶硅材质；本发明将深沟槽中的填充分为两段不同材料的复合填充，位于深沟槽下部的为氧化硅材质，位于深沟槽中上部的为多晶硅材质，本发明进一步优化结构将DTI多晶硅底部缩短至注入层下方，DTI多晶硅底部在耗尽区内可拉起一个较高的峰值电场，提高器件的击穿电压。

本发明授权深沟槽隔离结构及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽隔离结构的制造工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤： 提供一第一导电类型的半导体衬底，在所述的第一导电类型的半导体衬底上进行第二导电类型的离子注入形成一层第二导电类型的注入层； 生长一层第一导电类型的外延层，然后在所述的外延层中进行第二导电类型的离子注入，在所述的第一导电类型的外延层中形成第二导电类型的深阱； 进行第一次光刻及刻蚀，在所述的外延层表面形成浅槽隔离结构； 在所述的浅槽隔离结构中进行高深宽比的刻蚀，形成深沟槽，所述深沟槽的面积小于所述的浅槽隔离结构；在所述的深沟槽的底部衬底层中进行离子注入行成一第一导电类型的槽底注入区；对所述的深沟槽中分两次进行填充，首先在深沟槽中填充氧化硅层，形成于所述深沟槽的下部；再进行多晶硅的填充，将所述的深沟槽剩余部分填充满；所述的深沟槽内的多晶硅填充深度需超过所述注入层的深度，即深沟槽内部填充的多晶硅柱深度超过所述的注入层到达所述衬底中； 第二次光刻打开离子注入窗口并进行离子注入，在所述的浅槽隔离结构的外侧形成第二导电类型的阱区。

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