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龙图腾网获悉杰华特微电子股份有限公司申请的专利双向静电防护半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410782413.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权双向静电防护半导体器件及其制造方法是由邓志勤设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向静电防护半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双向静电防护半导体器件及其制造方法，该双向静电防护半导体器件包括：外延层；依次分布在外延层上部的第一P型阱区、第一N型阱区、第二P型阱区、第二N型阱区和第三P型阱区；位于第一P型阱区和第一N型阱区之间的第一MOS结构，包括第一源极区、第一漏极区和第一栅极区；位于第二P型阱区和第二N型阱区之间的第二MOS结构，包括第二源极区、第二漏极区和第二栅极区；第二P型阱区内的第一P+注入区和第三P型阱区内的第二P+注入区，第一P+注入区、第二源极区和第二栅极区均连接至阳极，第二P+注入区、第一源极区和第一栅极区均连接至阴极。该双向静电防护半导体器件通过增加MOS结构降低器件的触发电压，提升静电防护能力。

本发明授权双向静电防护半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向静电防护半导体器件，包括： 外延层，堆叠在衬底上方； 间隔分布的第一P型阱区、第二P型阱区和第三P型阱区，均从所述外延层的表面延伸至内部，与所述衬底隔开； 第一N型阱区，位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间，且与所述第一P型阱区相接触，与所述第二P型阱区不接触； 第二N型阱区，位于所述第二P型阱区和所述第三P型阱区之间，且与所述第二P型阱区相接触，与所述第三P型阱区不接触； 第一MOS结构，位于所述第一P型阱区和所述第一N型阱区之间，包括第一源极区、第一漏极区和第一栅极区； 第二MOS结构，位于所述第二P型阱区和所述第二N型阱区之间，包括第二源极区、第二漏极区和第二栅极区； 第一P+注入区，分布在所述第二P型阱区内靠近所述第一N型阱区的一侧；以及第二P+注入区，分布在所述第三P型阱区内，其中，所述第一P+注入区、所述第二源极区和所述第二栅极区均连接至阳极，所述第二P+注入区、所述第一源极区和所述第一栅极区均连接至阴极，所述第一源极区为第一N+注入区，所述第一漏极区为第二N+注入区，所述第一N+注入区位于所述第一P型阱区内，所述第二N+注入区位于所述第一P型阱区和所述第一N型阱区之间； 所述第二源极区为第三N+注入区，所述第二漏极区为第四N+注入区，所述第三N+注入区位于所述第二P型阱区内，所述第四N+注入区位于所述第二P型阱区和所述第二N型阱区之间，所述第二N型阱区和所述第三P型阱区均为环形区域，所述第一P型阱区、所述第一N型阱区和所述第二P型阱区均位于所述第二N型阱区形成的环形区域内部，所述第三P型阱区形成的环形区域位于所述第二N型阱区形成的环形区域外部。

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