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龙图腾网获悉陕西师范大学申请的专利一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法及电池器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411567945.1，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法及电池器件是由冯江山;宋飞设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法及电池器件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法及电池器件，该电池器件结构由下到上依次为FTO衬底、NiOx空穴传输层、SAM空穴传输层、界面缓冲层、钙钛矿吸收层、PCBM电子传输层、BCP阻挡层和银电极。本发明中界面缓冲剂被整合到钙钛矿层的埋底界面处，由于其具有对称的分子结构和独特的活性位点C‑N，通过与Pb2+的差异配位，显著抑制了碘空位缺陷的形成，从而有效地促进了空穴的提取和转移，以此来减轻倒置钙钛矿太阳能电池PSCs中埋藏界面应力。

本发明授权一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法及电池器件在权利要求书中公布了：1.一种基于埋底界面应力释放制备高效反式钙钛矿电池的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，清洗 FTO玻璃基底，获取预处理FTO玻璃基底； 步骤2，在预处理FTO玻璃基底的表面上旋涂氧化镍纳米颗粒水分散液，之后进行第一次退火处理，获取具有氧化镍空穴传输层的一次产品； 步骤3，将SAM粉末分散到异丙醇溶液中制得SAM异丙醇混合溶液，然后将SAM异丙醇混合溶液旋涂至一次产品的氧化镍空穴传输层的表面，之后进行第二次退火处理，获得具有SAM空穴传输层的二次产品； 步骤4，将三苯胺衍生物分子溶液旋涂至二次产品的SAM空穴传输层的表面，之后进行第三次退火处理，获得具备界面缓冲层的三次产品； 其中，三苯胺衍生物分子溶液的制备为：将三苯胺衍生物分子粉末溶解于氯苯溶液中，制得浓度为0.5‑1.5mgmL的三苯胺衍生物分子溶液；其中，三苯胺衍生物分子的结构式为： 步骤5，将钙钛矿前驱体溶液旋涂至三次产品的界面缓冲层的表面，获得具有钙钛矿光吸收层的四次产品； 步骤6，在室温下，将PCBM氯苯溶液旋涂在四次产品的钙钛矿薄膜上，形成具有PCBM电子传输层的五次产品； 步骤7，在五次产品的PCBM电子传输层上制备BCP阻挡层，形成具有BCP阻挡层的六次产品； 步骤8，在六次产品的BCP阻挡层上蒸镀银电极，获得钙钛矿电池器件。

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