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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540713.7，技术领域涉及：H10K39/18；该发明授权一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备是由李国强;王宣;刘勇;蔡宇凡设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备在说明书摘要公布了：本发明属于串联电池的技术领域，公开了一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs钙钛矿串联叠层电池及其制备。所述电池从下到上依次包括背面电极、GaAs衬底层、碳材料层、无机钙钛矿顶电池层、正面ARC、正面电极；其中碳材料是作为GaAs底电池的空穴传输和底电池与顶电池的中间互联导电的复合功能层。本发明还公开了电池的制备方法。本发明拓宽了GaAs单结电池的效率理论极限，GaAs底电池采用的是异质结电池，与同质结电池相比降低了成本，其中用碳材料作为复合多功能层减少了传统串联电池须使用的中间导电层，能够有效降低成本和优化电池结构，并且全无机GaAs钙钛矿电池能够显著提高稳定性。

本发明授权一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备在权利要求书中公布了：1.一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs钙钛矿串联叠层电池，其特征在于：从下到上依次包括背面电极、GaAs衬底层、碳材料层、无机钙钛矿顶电池层、正面ARC、正面电极；其中碳材料是作为GaAs底电池的空穴传输和底电池与顶电池的中间互联导电的复合功能层，无机钙钛矿顶电池层从下至上依次包括电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层； 所述正面电极设置在无机钙钛矿顶电池层中空穴传输层的两端，正面ARC设置在无机钙钛矿顶电池层中空穴传输层上并与两端正面电极接触；所述电子传输层设置在碳材料层上； 所述碳材料作为空穴传输和导电中间复合功能层的全无机GaAs钙钛矿串联电池的制备方法，包括以下步骤： 1在GaAs衬底的一表面蒸镀背面电极，退火形成欧姆接触，然后在GaAs衬底的另一表面制备碳材料层，即获得GaAs底电池； 2在碳材料层的表面制备电子传输层； 3将无机钙钛矿前驱体配成溶液，使用反溶剂法在电子传输层的表面进行旋涂，高温退火，获得钙钛矿吸收层； 4在钙钛矿吸收层的表面制备空穴传输层； 5在空穴传输层的两端蒸镀正面电极，并在未被正面电极覆盖的空穴传输层上蒸镀抗反射涂层ARC，获得碳材料作为空穴传输和导电中间复合功能层的全无机GaAs钙钛矿串联电池； 步骤3中高温退火的温度为300~340℃。

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