上海积塔半导体有限公司薛美霞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及半导体结构的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411487981.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构及半导体结构的测试方法是由薛美霞;张倩倩设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构及半导体结构的测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体测试结构及半导体结构的测试方法。半导体测试结构包括互相绝缘的主测试结构及副测试结构；主测试结构包括主电阻结构、第一焊盘及第二焊盘，第一焊盘与主电阻结构的首端相连，第二焊盘连接至主电阻结构的末端；副测试结构包括副电阻结构以及第三焊盘，第三焊盘与副电阻结构相连；其中，副电阻结构包括多个跳线结构，跳线结构的正投影与主电阻结构的正投影至少部分重合。上述半导体测试结构能够实现同时监测电阻及同层电容，仅占用三个焊盘面积，能够有效节省芯片面积，降低研发成本，并且可以对相同实际工艺下相同密度的半导体结构的电阻值、电容值进行监测，从而提高工艺设计套件中电阻电容文件仿真与实际工艺的拟合精度。
本发明授权半导体测试结构及半导体结构的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括 互相绝缘的主测试结构及副测试结构； 所述主测试结构包括主电阻结构、第一焊盘及第二焊盘，所述第一焊盘与所述主电阻结构的首端相连，所述第二焊盘连接至所述主电阻结构的末端； 所述副测试结构包括副电阻结构以及第三焊盘，所述第三焊盘与所述副电阻结构相连； 其中，所述副电阻结构包括多个跳线结构，所述跳线结构的正投影与所述主电阻结构的正投影至少部分重合； 所述副电阻结构还包括第一子电阻结构及第二子电阻结构； 所述第二子电阻结构包括多个第二副电阻单元及沿第一方向延伸的第二延伸分支，多个所述第二副电阻单元的首端分别连接至所述第二延伸分支； 所述第二子电阻结构还包括中间延伸分支，所述中间延伸分支位于所述第二延伸分支的对称轴上，且沿第二方向延伸； 所述中间延伸分支的首端连接至所述第二延伸分支，所述中间延伸分支的末端连接至所述第三焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励