中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411450935.X，技术领域涉及：G02F1/125；该发明授权一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法是由欧欣;隋东辰;张师斌;郑鹏程;蔡佳辰设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法，所述多物理场声光交调波导包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上的介质层；位于所述介质层上的压电薄膜；位于所述压电薄膜上的图案化金属结构；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上方形成波导；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成第一光栅耦合器和第二光栅耦合器；所述图案化金属结构包括第一压电换能器、第二压电换能器、第一调制电极和第二调制电极；所述第一调制电极和第二调制电极位于所述波导两侧且平行于波导。本发明把声场和光场限制到一个波导，同时传播两种物理场并进行调制，可以增加信息传播的密度，以及增加调制的效率。
本发明授权一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成复用的多物理场声光交调波导，其特征在于：所述多物理场声光交调波导包括： 提供一支撑衬底； 位于所述支撑衬底上的介质层； 位于所述介质层上的压电薄膜； 位于所述压电薄膜上的图案化金属结构； 对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上方形成波导； 对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成第一光栅耦合器和第二光栅耦合器； 所述图案化金属结构包括第一压电换能器、第二压电换能器、第一调制电极和第二调制电极；所述第一调制电极和第二调制电极位于所述波导两侧且平行于波导； 所述第一压电换能器、第二压电换能器用于所述波导中的声场进行调制； 所述第一调制电极、第二调制电极用于所述波导中的光场进行调制。
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