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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411314898.X，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法是由周圣军;廖喆夫;蒋晶晶设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种深紫外Micro‑LED阵列芯片及制备方法，属于半导体技术领域。所述深紫外Micro‑LED阵列芯片包括：电子提供层；多个阵列单元，阵列单元包括沿纵向依次层叠设置在电子提供层上的多量子阱有源层、电子阻挡层和空穴提供层，阵列单元中具有纵向贯穿阵列单元的通孔，阵列单元和通孔的横向截面分别呈六边形；多个第一电极，位于对应的阵列单元上，并与对应的阵列单元中的空穴提供层连接；多个第二电极，位于对应的阵列单元的通孔中，并与电子提供层连接；第二电极的横向截面呈六边形，第一电极围绕对应的第二电极设置；第一互联层，与多个第一电极连接；第二互联层，与多个第二电极连接。本申请能够降低吸收损耗，提高光提取效率，提高芯片可靠性。

本发明授权深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外Micro‑LED阵列芯片，其特征在于，包括： 电子提供层； 多个阵列单元，呈阵列间隔分布，所述阵列单元包括沿纵向依次层叠设置在所述电子提供层上的多量子阱有源层、电子阻挡层和空穴提供层，所述阵列单元中具有纵向贯穿所述阵列单元的通孔，所述阵列单元和所述通孔的横向截面分别呈六边形； 多个第一电极，与所述多个阵列单元一一对应设置，所述第一电极位于对应的阵列单元上，并与对应的阵列单元中的空穴提供层连接； 多个第二电极，与所述多个阵列单元一一对应设置，所述第二电极位于对应的阵列单元的通孔中，并与所述电子提供层连接；所述第二电极的横向截面呈六边形，所述第一电极围绕对应的第二电极设置； 第一互联层，位于所述多个阵列单元之间，并与所述多个第一电极连接； 第二互联层，位于所述第二电极背离所述电子提供层的一侧，并与所述多个第二电极连接； 反射镜，位于所述通孔的侧壁以及所述阵列单元的侧壁，所述反射镜还作为钝化层； 所述阵列单元的侧壁与所述电子提供层的上表面的夹角为40°‑50°，所述电子提供层的上表面与所述横向相平行，并与所述纵向相垂直； 所述通孔的侧壁与所述电子提供层的上表面的夹角为40°‑50°。

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