河北大学马蕾获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉河北大学申请的专利一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411453905.4，技术领域涉及：H01M4/1397；该发明授权一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜及制备方法是由马蕾;齐泽轩;张雷;刘磊;王定权设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜及制备方法，属于薄膜固态锂离子电池及其制造技术领域。具体操作步骤为：首先使用机械球磨法制得CuSbSe2前驱体并进行真空煅烧，然后使用真空蒸镀法在集流体上蒸镀一层CuSbSe2，最后利用快速退火炉在300~600°C条件下进行30~90秒的热退火，形成CuSbSe2薄膜。这种先蒸镀后退火的工艺能够增强薄膜和基底的结合力，提高薄膜层纯度，制备工艺简单、成本较低。CuSbSe2负极薄膜具有优异的充放电比容量和循环稳定性，在固态薄膜电池领域具有广阔的发展前景，适宜进一步推广与应用。
本发明授权一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于全固态薄膜锂离子电池的铜锑硒薄膜的制备方法，其特征在于，采用备CuSbSe2薄膜作为负极薄膜，该薄膜采用如下方法制备,具体包括以下步骤： 步骤1，机械球磨制备CuSbSe2前驱体材料，机械球磨的原料为Cu粉、Sb粉和Se粉； 步骤2，将CuSbSe2前驱体材料放入真空烧结炉中煅烧； 步骤3，将集流体放入溶液超声清洗后，放入烘箱中烘干； 步骤4，煅烧后的CuSbSe2前驱体材料作为蒸发源，利用真空蒸镀技术，在集流体上沉积得到CuSbSe2非晶薄膜； 步骤5，CuSbSe2非晶薄膜材料在惰性气氛下进行快速热退火，得到结晶的 CuSbSe2负极薄膜， CuSbSe2负极薄膜呈现堆叠的纳米棒状。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北大学，其通讯地址为：071000 河北省保定市五四东路180号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励