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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411428321.1，技术领域涉及：H10D62/40；该发明授权一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法是由赵见国;武志勇;张玉尧;徐儒;常建华设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对称的氮化镓GaN基高电子迁移率晶体管HEMT结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaNGaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气2DEG，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。

本发明授权一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种对称的GaN基HEMT结构，其特征在于：包括自下而上依次设置的向上晶面为非极性面的GaN层101、含有微孔阵列的掩膜层102、GaN立体三角岛103、Al组分0.1x0.4的AlxGa1‑xN层104、绝缘介质层105，以及在GaN立体三角岛103下方的A电极106、在绝缘介质层105上的B电极107和在GaN立体三角岛103顶部的共用C电极108；其中，GaN立体三角岛103底部从掩膜层102的微孔中向上外延生长获得，除底部外包含两个左右对称的三角形斜面和一个与底面垂直的三角形侧面；而且，AlxGa1‑xN层104、绝缘介质层105，A电极106、B电极107均左右对称设置于GaN立体三角岛103的斜面上，且同一结构的参数完全相同；左侧的AlxGa1‑xN层104、绝缘介质层105，A电极106、B电极107和共用C电极108构成HEMT结构L；右侧的AlxGa1‑xN层104、绝缘介质层105，A电极106、B电极107和共用C电极108构成HEMT结构R。

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