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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技有限公司申请的专利一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411255683.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法是由葛青涛;张陈斌;陆雯洁;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法，包括以下步骤：采用P1的溅射功率，预溅射靶材1‑10min；将基底传输至磁控溅射真空腔体中，载台的温度设定为25‑300℃，腔体真空度保持在5.0×10‑8Torr以下，向磁控溅射真空腔体的上部区域通入第一惰性气体，向下部区域通入第二惰性气体，腔体反应压力2.3‑9.3mTorr；本发明在磁控溅射腔体内，分别通入两种不同摩尔质量的惰性气体，并且对靶材输入频率为F1的射频电流，对载台输入频率为F2的射频电流，F1大于等于F2，两种射频功率的输入，使得靶材与载台之间的等离子体浓度大大提升，能够提升金属薄膜的致密性。

本发明授权一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升沉积金属薄膜致密性的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1预溅射：采用P1的溅射功率，预溅射靶材1‑10 min； 2磁控溅射制备金属薄膜：将基底传输至磁控溅射真空腔体中，载台的温度设定为25‑300℃，腔体真空度保持在5.0×10‑8 Torr以下，向所述磁控溅射真空腔体的上部区域通入流量为20‑60sccm的第一惰性气体，向所述磁控溅射真空腔体的下部区域通入流量为20‑100sccm的第二惰性气体，腔体反应压力2.3‑9.3 mTorr； 所述磁控溅射真空腔体的上部区域距离所述靶材较近，所述磁控溅射真空腔体的下部区域距离基底载台较近； 与所述靶材连接的射频电源及匹配网络的频率为F1，所述靶材的射频输入功率为P1，与所述载台连接的射频电源及匹配网络的频率为F2，所述载台的射频输入功率为P2，溅射时间为60‑600s，得到钛薄膜； F1和F2同时满足以下条件：F1≥2MHz，400kHz≤F2≤27MHz，且F1≥F2； P1和P2满足以下条件：1000W≤P1≤10000W，100W≤P2≤1000W； 所述第一惰性气体为Ar，所述第二惰性气体是He。

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