泉州市三安集成电路有限公司谢荣铮获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利滤波器芯片、滤波器芯片制备方法及滤波器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119232109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310786677.1，技术领域涉及：H03H9/64；该发明授权滤波器芯片、滤波器芯片制备方法及滤波器装置是由谢荣铮;孙云鹏;陈煜;谢世钊设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本滤波器芯片、滤波器芯片制备方法及滤波器装置在说明书摘要公布了：本发明涉及滤波器技术领域，特别涉及一种滤波器芯片及其制备方法，该滤波器芯片包括压电基板、IDT电极和调频介电层。IDT电极间隔地设置在压电基板上，调频介电层覆盖压电基板和IDT电极。其中，调频介电层在IDT电极和压电基板上的最终厚度是由公式1确定，公式1如下：H1＝[F1‑F2+△FS+△FIDT]A；H1为调频介电层的最终厚度，F1为调频介电层的目标频率，F2为压电基板在沉积IDT电极后的电性频率量测值，△FS为压电基板影响的电性频率，△FIDT为IDT电极制程的频率补偿值，A为敏感系数。借此，可以有效提升滤波器芯片的电性稳定性，确保产品良率。
本发明授权滤波器芯片、滤波器芯片制备方法及滤波器装置在权利要求书中公布了：1.一种滤波器芯片，其特征在于：所述滤波器芯片包括： 压电基板； IDT电极，间隔地设置在所述压电基板上； 调频介电层，覆盖所述压电基板和所述IDT电极； 其中，所述调频介电层在所述IDT电极和所述压电基板上的最终厚度是由公式1确定，所述公式1如下： H1=[F1‑F2+△FS+△FIDT]A1H1为所述调频介电层的最终厚度，F1为所述调频介电层的目标频率，F2为所述压电基板在沉积所述IDT电极后的电性频率量测值，△FS为所述压电基板影响的电性频率，△FIDT为所述IDT电极制程的频率补偿值，A为敏感系数； 其中，△FS=△Vλ，△V为声表面波在所述压电基板内的传播速度，λ为所述IDT电极的间距对频率的影响系数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泉州市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：362343 福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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