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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410998141.0，技术领域涉及：H10H29/49；该发明授权一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统是由刘宏伟;张鹏喆;何龙振;肖秧;牛萍娟设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MicroLED微显示阵列芯片及微型投影系统，属于半导体微显示技术领域，包括由四块独立的三棱镜拼接而成的正方体合色棱镜组，分别为绿光入射棱镜、红光入射棱镜、蓝光入射棱镜和出光棱镜；贴装在合色棱镜组入光面的MicroLED微显示阵列芯片，包括绿色MicroLED微显示阵列芯片、红色MicroLED微显示阵列芯片和蓝色MicroLED微显示阵列芯片；位于合色棱镜组出光面外侧且与出光棱镜光轴重合的光投影部；本发明解决了MicroLED微显示芯片的三基色图像合成的全彩图像模糊、像素间光串扰过大、巨量转移成品率较低和电极占用面积过大的技术问题。

本发明授权一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统在权利要求书中公布了：1.一种Micro LED微显示阵列芯片，其特征在于，包括衬底2‑1，位于所述衬底2‑1上表面的缓冲层2‑2，位于所述缓冲层2‑2上表面的共N极高掺杂导电层2‑3，位于所述共N极高掺杂导电层2‑3上表面的N型电子注入层2‑4，位于所述N型电子注入层2‑4上表面的多量子阱有源区2‑5，位于所述多量子阱有源区2‑5上表面的P型空穴注入层2‑6，位于所述P型空穴注入层2‑6上表面的透明电极层2‑7，填充在所述Micro LED微显示阵列芯片共N极高掺杂导电层2‑3两端的上表面和单个像素之间的绝缘层2‑8，位于所述透明电极层2‑7两端的共P接触电极2‑9，填充在所述共P接触电极2‑9下表面、穿过所述衬底2‑1和绝缘层2‑8的P极通孔内部的共P极金属导电层2‑10，位于所述共P极金属导电层2‑10下表面的共P极通孔电极2‑11，填充在所述共N极高掺杂导电层2‑3两端的下表面、穿过所述缓冲层2‑2和衬底2‑1的N极通孔内部的共N极金属导电层2‑12，位于所述共N极金属导电层2‑12下表面的共N极通孔电极2‑13，位于阵列上表面生长的透光保护层2‑14。

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