上海积塔半导体有限公司刘良文获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118814144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411045192.8，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备是由刘良文;严翔;闫晓晖设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备，包括：用于控制工艺腔室执行N次目标工艺步骤对其内的晶圆表面沉积目标厚度的目标膜层；其中，执行第i次目标工艺步骤包括：在向工艺腔室内通入交替前驱气体期间，控制励磁源向工艺腔室内施加第一磁场的同时，控制晶圆载盘向晶圆表面施加静电场，使得种前驱气体分解出的成膜目标离子朝向晶圆表面加速运动，并吸附在晶圆表面或与早已吸附的目标离子反应并形成第i层原子薄膜，i∈[1，N]。根据前驱气体分解离子电性状态和电荷量灵活调节外加磁场和电场方向及强度，达到在扩大工艺温度窗口的同时缩短薄膜沉积周期及提升薄膜均匀性的目的。
本发明授权原子层沉积控制方法以及控制设备、沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积控制方法，其特征在于，用于控制工艺腔室执行N次目标工艺步骤对其内的晶圆表面沉积目标厚度的目标膜层；其中，执行第i次目标工艺步骤包括： 在向所述工艺腔室内通入第一种前驱气体期间，控制励磁源向所述工艺腔室内施加第一磁场的同时，控制晶圆载盘向所述晶圆表面施加第一静电场，使得所述第一种前驱气体分解出的第一成膜目标离子朝向晶圆表面加速运动，并吸附在所述晶圆表面； 在向所述工艺腔室内通入第二种前驱气体期间，控制所述励磁源向所述工艺腔室内施加第二磁场的同时，控制所述晶圆载盘向所述晶圆表面施加第二静电场，使得所述第二种前驱气体分解出的第二成膜目标离子朝向晶圆表面加速运动，与所述第一成膜目标离子反应并形成第i层原子薄膜，i∈[1，N]。
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