福建兆元光电有限公司贺卫群获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410831186.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法是由贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌;郑航设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法。本发明的生长方法通过在高温P型GaN层上生长一层InGaN层作为界面处理层，界面处理层利用In原子的活泼性特性，使InGaN更倾向三维生长，可以用更少的厚度填平V型缺陷，有效的减少漏电通道、提高反向电压等性能。相较于常规采用P型GaN层填平V型缺陷而言，InGaN的厚度较薄，对出光效率和发光效率的影响较小，可在提高反向电压的同时不影响亮度性能。
本发明授权一种高反向电压的大功率LED外延结构及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种高反向电压的大功率LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区层和P型GaN层；所述P型GaN层包括依次生长的低温P型GaN层、电子阻挡层、InGaN层及高温P型GaN层； 生长所述InGaN层在反应腔中进行，所述反应腔的温度为900~1050℃，压力为600~1000mbar，同时向反应腔通入30000~60000sccm的NH3、60000~85000sccm的N2、25~50sccm的TMGa和200~600sccm的TMIn； 所述InGaN层的厚度为10~90nm。
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