中国科学院上海微系统与信息技术研究所蔡艳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118567027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410791920.3，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法是由蔡艳;朱倩男;岳文成设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法，所述耦合器由下至上包括衬底1、埋氧层2、氮化硅层3、铌酸锂层4和上包层5。本发明通过异质集成的方式，在单层铌酸锂光栅下另添加一层光栅，即可达到与现有技术相近的耦合效率，具有低损耗，工艺流程简单，制作工艺容差大的优势。
本发明授权一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层低损耗铌酸锂光栅耦合器，其特征在于：所述耦合器由下至上包括衬底1、埋氧层2、氮化硅层3、铌酸锂层4和上包层5；所述氮化硅层3和铌酸锂层4前半周期占空比线性改变且线性改变程度不同，后半周期占空比相同；所述上包层5覆盖所述氮化硅层3和铌酸锂层4。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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