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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118480771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410453216.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用是由宁洪龙;苏国平;姚日晖;彭俊彪;张子涵;姜博诚;陈豪彦;徐诗涛;吴振宇;杨跃鑫设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：S1、将衬底放入铝腔内抽真空达到一定的腔体气压，并将铝腔加热；S2、向腔体内先脉冲注入第一金属前驱体，惰性气体吹扫，接着脉冲注入第二金属前驱体，惰性气体吹扫，通入氧化剂将前驱体氧化，惰性气体吹扫；S3、重复N次上述步骤S2，得到一定厚度的均匀掺杂薄膜。本发明提出的方法减少了多组分薄膜沉积时前驱体的原子间隙填补效应，这不仅减少了薄膜内部的原子空位，实现了无生长延迟的生长模式，同时减小了薄膜表面起伏，改善了薄膜的表面特性，有利于所制备的薄膜与其余功能层实现良好的界面接触。

本发明授权基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： S1、以三甲基铟、四二甲氨基锡和二乙基锌为原子层沉积ALD前驱体，以下三甲基铟简称TMI、四二甲氨基锡简称TDMASn、二乙基锌简称DEZ，以水作为DEZ的反应物，臭氧作为TMI和TDMASn的反应物； S2、原子层沉积ALD三步子循环工艺包括InSnO、SnZnO和ZnInO； 其中，InSnO工艺流程为： TMI金属前驱体脉冲注入0.1s，氮气吹扫45s，TDMASn金属前驱体脉冲注入0.8s，氮气吹扫45s，臭氧氧化剂脉冲注入4s，氮气吹扫30s； SnZnO工艺流程为：TDMASn金属前驱体脉冲注入0.8s，氮气吹扫45s，DEZ金属前驱体脉冲注入0.06 s，氮气吹扫45s， H2O氧化剂脉冲注入0.02s，氮气吹扫30s，臭氧氧化剂脉冲注入4 s，氮气吹扫30s； ZnInO工艺流程为：DEZ金属前驱体脉冲注入0.06s，氮气吹扫45s，TMI金属前驱体脉冲注入0.1s，氮气吹扫45s，H2O氧化剂脉冲注入0.015s，氮气吹扫30s，臭氧氧化剂脉冲注入2s，氮气吹扫30s； S3、以S2中的三个子循环交替沉积构成的一个超循环，循环顺序为InSnO→SnZnO→ZnInO，各子循环在一个超循环中的循环次数为1，循环一定次数得到InSnZnO薄膜。

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