厦门理工学院钟树苗获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门理工学院申请的专利一种氮化铝粉体及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117776735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311823679.X,技术领域涉及:C04B35/581;该发明授权一种氮化铝粉体及其制备方法是由钟树苗;古思勇;张厚安;鲁慧峰;徐智凯;李涛;麻季冬;乔东旭设计研发完成,并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铝粉体及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种氮化铝粉体的制备方法,以商用氮化铝粉体为原料,通过高温分步和不同气氛处理,实现颗粒表面氧化膜的碳热还原反应,有效去除氮化铝粉体表面非晶氧化层和残余碳。本发明制备的高纯氮化铝粉体的氧含量≤0.40wt%、碳含量≤300ppm,采用该粉体可制备出热导率≥130W·m‑1·K‑1的不含烧结助剂的热压氮化铝陶瓷,远高于采用市售原料制备的热压氮化铝陶瓷。
本发明授权一种氮化铝粉体及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种氮化铝粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤: 步骤一:将1000g的市售氮化铝粉体和1000g浸润溶液装入尼龙球磨罐中,其中1000g浸润溶液由100g聚多巴胺、100g柠檬酸和800g无水乙醇组成; 步骤二:加入氧化铝磨球进行球磨形成浸润浆料; 步骤三:将浸润浆料进行喷雾干燥处理,获得预包覆氮化铝粉体;所述喷雾干燥参数为:干燥温度为85℃,氮气压力1.7 kPa; 步骤四:将预包覆氮化铝粉体置于高温炉中进行煅烧形成碳包覆氮化铝粉体;所述煅烧参数:全程在氮气气氛下进行,温度650℃,煅烧时间2h,氮气气压保持在2.5 kPa以上; 步骤五:将碳包覆氮化铝粉体放入高温炉中进行高温降氧,结束后随炉降温;所述高温降氧参数:全程在氮气气氛下进行,温度1650℃,保温8h,氮气气压保持在2.5 kPa以上; 步骤六:对降温后的粉体进行低温除碳;结束后随炉降温,取出过筛网,即得氮化铝粉体; 步骤六中所述低温除碳包括以下步骤 :利用真空泵进行抽真空,使炉内真空度≤10 Pa,通入氧气,使得真空度上升并保持在1.3kPa,待真空度达到要求后,在600℃保温1.5h; 之后开始升温,当炉温达到750℃时,加大氧气通入量,使炉内真空度上升并保持在35kPa,在750℃保温6h。
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