福建兆元光电有限公司马昆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利高光效GaN基Mini LED绿光外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311649931.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权高光效GaN基Mini LED绿光外延结构及其制备方法是由马昆旺;邹声斌;贺卫群;唐乐星;刘恒山设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本高光效GaN基Mini LED绿光外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及高光效GaN基MiniLED绿光外延结构及其制备方法。该外延结构，包括依次层叠设置的有源区多量子阱层、电子阻档层和Mg掺杂第一p‑GaN层，所述电子阻档层包括依次层叠设置的AlNGaN超晶格结构、AlGaN结构、AlGaInN结构、InN结构和MgN结构。该外延结构在有源区多量子阱层下设置电子阻档层结构，该电子阻档层通过依次层叠设置的AlNGaN超晶格结构、AlGaN结构、AlGaInN结构起到电子阻挡、防止电子溢流和增加空穴注入的作用，然后设置InN结构实现空穴加速，最后设置MgN结构提供了空穴并增加了空穴的注入，从而有效提高发光复合效率，达到提高光效的目的。
本发明授权高光效GaN基Mini LED绿光外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效GaN基Mini LED绿光外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的有源区多量子阱层、电子阻档层和Mg掺杂第一p‑GaN层，所述电子阻档层包括依次层叠设置的AlNGaN超晶格结构、AlGaN结构、AlGaInN结构、InN结构和MgN结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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