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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117434995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311425357.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路是由罗萍;辛相文;黄经纬;王浩;龚正;吴泉澳;吴乾峰设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路，具体的包括电压基准、电流源产生电路、工艺偏差检测电路、译码器、修调电路，其特征在于：所述工艺偏差检测电路由同一工艺库下几种类型不同的电阻构成，能够准确检测工艺偏差量，故能精确的对基准电压源进行修调，实现基准电压源高精度输出。所述用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路结构简单、占用版图面积小，且电路无需芯片外部修调引脚，能够自动检测工艺偏差量，并根据工艺偏差自动对基准电压源进行修调。本发明所提出的一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路能够大幅度降低芯片生产成本及后期芯片测试成本。

本发明授权一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电压基准源的工艺偏差自动修调电路，其特征在于，包括电压基准、电流源产生电路、工艺偏差检测电路、译码器、修调电路； 所述电流源产生电路包括误差放大器、第一MOS管M1、第五MOS管M5、第三低工艺敏感度零温电阻串L3；所述误差放大器正相输入端连接电压基准输出VREF，所述误差放大器反相输入端连接所述第五MOS管M5源端，所述误差放大器输出端连接所述第五MOS管M5栅端；所述第一MOS管M1栅端连接所述第一MOS管M1漏端，所述第一MOS管M1源端连接电源电压VIN，所述第一MOS管M1漏端连接所述第五MOS管M5漏端，所述第一MOS管M1栅端为所述电流源产生电路的输出端输出VIBIS；所述第五MOS管M5源端连接所述第三低工艺敏感度零温电阻串L3上端；所述第三低工艺敏感度零温电阻串L3下端连接GND电位； 所述工艺偏差检测电路包括第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一低工艺敏感度零温电阻串L1、第二低工艺敏感度零温电阻串L2、高工艺敏感度零温电阻串H1、第一比较器、第二比较器；所述第二MOS管M2栅端连接所述电流源产生电路输出端VIBIAS，所述第二MOS管M2源端连接电源电压VIN，所述第二MOS管M2漏端连接所述第一低工艺敏感度零温电阻串L1上端VC和所述第一比较器正相输入端；所述第一低工艺敏感度零温电阻串L1下端连接GND电位；所述第三MOS管M3栅端连接所述电流源产生电路输出端VIBIAS，所述第三MOS管M3源端连接电源电压VIN，所述第三MOS管M3漏端连接所述第二低工艺敏感度零温电阻串L2上端VB和所述第二比较器正相输入端；所述第二低工艺敏感度零温电阻串L2下端连接GND电位； 所述第四MOS管M4栅端连接所述电流源产生电路输出端VIBIAS，所述第四MOS管M4源端连接电源电压VIN，所述第四MOS管M4漏端连接所述高工艺敏感度零温电阻串H1上端VA；所述高工艺敏感度零温电阻串H1下端连接GND电位；所述第一比较器正相输入端连接所述第一低工艺敏感度零温电阻串L1上端VC，所述第一比较器反相输入端连接所述高工艺敏感度零温电阻串H1上端VA；所述第二比较器正相输入端连接所述第二低工艺敏感度零温电阻串L2上端VB，所述第二比较器反相输入端连接所述高工艺敏感度零温电阻串H1上端VA； 所述译码器用于产生不同工艺偏差下所需的逻辑修调码，所述译码器第一输入端D1连接所述第一比较器的输出端，所述译码器第二输入端D2连接所述第二比较器的输出端； 所述修调电路用于根据工艺偏差对基准电压值进行修调，所述修调电路输入端连接所述译码器输出端，所述修调电路输出端连接基准电压修调网络。

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