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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SRAM的可测试性设计电路和读写路径去耦合电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210570900.4，技术领域涉及：G11C29/54；该发明授权SRAM的可测试性设计电路和读写路径去耦合电路是由赖振安;陈俊晟设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM的可测试性设计电路和读写路径去耦合电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SRAM的可测试性设计电路中，故障诊断逻辑控制模块的写入路径电路检测模式中，写入路径电路为导通状态、写数据位选择器为选择状态、读数据位选择器为非选择状态、读取路径电路导通状态以及存储单元为选择状态；读取路径电路检测模式中，写入路径电路为非导通状态、写数据位选择器为选择状态、读数据位选择器为非选择状态、读取路径电路导通状态以及存储单元为非选择状态，位线信号端连接由信号产生电路输出的测试信号。本发明能在故障诊断过程中提升对出现在写入路径电路和读取路径电路中的功能失效故障的判断能力和效率。本发明还公开了一种SRAM的读写路径去耦合电路，能采用单端口存储单元实现双端口输出。

本发明授权SRAM的可测试性设计电路和读写路径去耦合电路在权利要求书中公布了：1.一种SRAM的可测试性设计电路，其特征在于： SRAM包括存储单元区和外部控制电路区； 所述存储单元区中形成有由多个存储单元排列形成的存储单元阵列，同一列的所述存储单元连接到相同的位线； 所述外部控制电路区包括写入路径电路和读取路径电路； 所述写入路径电路的输出端和所述读取路径电路的输入端都连接在位线信号端，所述位线信号端通过写数据位选择器连接到对应的所述位线；所述位线信号端通过读数据位选择器连接到对应的所述位线； 可测试性设计电路包括故障诊断逻辑控制模块； 所述故障诊断逻辑控制模块用于在故障诊断过程中控制故障诊断模式，所述故障诊断模式包括写入路径电路检测模式，所述写入路径电路检测模式中，所述写入路径电路为导通状态、所述写数据位选择器为选择状态、所述读数据位选择器为非选择状态、所述读取路径电路导通状态以及所述存储单元为选择状态；所述写入路径电路实现对所述存储单元的写入，所述读取路径电路实现对所述位线信号端的读取并从而实现对所述写入路径电路的检测； 所述故障诊断模式还包括读取路径电路检测模式； 所述读取路径电路检测模式中，所述写入路径电路为非导通状态、所述写数据位选择器为选择状态、所述读数据位选择器为非选择状态、所述读取路径电路导通状态以及所述存储单元为非选择状态，所述位线信号端连接由信号产生电路输出的测试信号，所述读取路径电路实现对所述测试信号的读取并从而实现对所述读取路径电路的检测。

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