中国振华集团云科电子有限公司敖来远获国家专利权
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龙图腾网获悉中国振华集团云科电子有限公司申请的专利一种低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116715508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310467986.2，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法是由敖来远;杨俊;陈传庆;应建;彭泽椿;王星;姜滔设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷介质材料技术领域，特别涉及一种新型低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法，通过将Ga2O3、GeO2、MgO按照配比进行一次称量球磨混合，干燥、烧结得到预烧陶瓷粉，再投入球磨机，进行二次球磨，将二次球磨后的陶瓷粉进行造粒，压制成圆柱状生坯，最后生坯排胶烧结而成。与现有技术相比，本发明制得的新型低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料不仅具有介电常数，并且具有高品质因素，可以用于滤波器、谐振器、介质天线等不同器件中，并保证器件的稳定性，具有广阔的市场前景。
本发明授权一种低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介电镓、锗基高品质因数微波介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将Ga2O3、GeO2、MgO按比例混合后，投入球磨机进行一次球磨，其中，Ga2O3、GeO2、MgO按分子式Mg2Ga4GeO10进行称量配料； S2.将S1的球磨混合料干燥，在1100℃下，空气氛围中烧结4h得到预烧陶瓷粉； S3.将S2的预烧陶瓷粉投入球磨机，进行二次球磨； S4.将S3的球磨混合料干燥、造粒得到粒径为80～120目的陶瓷粉； S5.将S4的陶瓷粉制胚、烧结，得到成品，其中，烧结条件为：以0.5°Cmin的速度升温至700℃，保温3小时，随后再以2℃min速率升温至1100℃，再以5℃min速率升温至1280～1360℃，保温4小时，随后以3℃min降温至1000℃，在以5℃min降温至700℃，后随炉冷却至室温。
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