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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种二次电子产额测量的校准装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116626741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310382582.3，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权一种二次电子产额测量的校准装置及方法是由邓晨晖;韩立;牛耕;王鹏飞;王岩;赵伟霞设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二次电子产额测量的校准装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种二次电子产额测量的校准装置及方法，涉及二次电子发射现象及其应用领域；该校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；电子激发源发射电子；收集极收集待测样品在经电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；束流测量仪在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，测量经法拉第杯传输的电子束束流，并测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；移动终端根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算的二次电子产额，以及由二次电子的电流和电子束束流计算的修正系数得到二次电子校准产额；本发明通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。

本发明授权一种二次电子产额测量的校准装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种二次电子产额测量的校准装置，其特征在于，所述校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端； 所述法拉第杯与所述电子激发源连接； 所述收集极为开设有电子通孔的罩状结构的电子收集器件，且罩设在待测样品的周围； 所述束流测量仪分别与所述法拉第杯、所述收集极、待测样品和所述移动终端连接； 所述电子激发源用于发射电子； 所述收集极用于收集所述待测样品在经所述电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子； 所述束流测量仪，用于： 在所述法拉第杯处于所述电子激发源的下方且全部遮住所述电子通孔时，测量经所述法拉第杯传输的电子束束流； 测量二次电子的电流和透过待测样品的电流； 所述移动终端，用于： 根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算二次电子产额； 根据二次电子的电流和所述电子束束流计算修正系数； 根据所述修正系数和所述二次电子产额，得到二次电子校准产额； 二次电子产额δ： Is为二次电子的电流；It为透过待测样品的电流； 修正系数α： I′s为调整后的二次电子的电流；I′p为电子束束流； 校准后的二次电子发射产额δ′：

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