无锡群联电子技术有限公司王其超获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡群联电子技术有限公司申请的专利一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223639247U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423223453.9，技术领域涉及：H03K17/06；该实用新型一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路是由王其超;刘富财设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及驱动电路技术领域，尤其是涉及一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路，包括控制逻辑电路、MOSFET驱动单元以及电荷泄放电路。本实用新型电路内部除了集成控制逻辑电路和MOSFET驱动单元外，还集成了一个电荷泄放电路，可实现由TTL逻辑信号控制驱动外部的P沟道功率MOSFET外，以及在P沟道MOSFET关断后，通过芯片上的电荷泄放电路，对功率MOSFET漏极的电荷进行快速泄放，从而避免射频功放在关断后出现电流拖尾现象，提高了系统的可靠性。
本实用新型一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路，其特征在于：包括控制逻辑电路1、MOSFET驱动单元2以及电荷泄放电路3，所述MOSFET驱动电路的外引脚IN与所述控制逻辑电路1的输入端电性连接，所述MOSFET驱动电路的外引脚VDD与所述控制逻辑电路1的电源电性连接； 所述控制逻辑电路1的一个输出端与所述MOSFET驱动单元2的输入端电性连接，所述控制逻辑电路1的另一个输出端与所述电荷泄放电路3的输入端电性连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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