武汉高芯科技有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉高芯科技有限公司申请的专利一种非制冷红外芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223636974U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520102600.2，技术领域涉及：G01J5/10；该实用新型一种非制冷红外芯片是由黄晟;黄立;马隽;洪立福;姚柏文设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非制冷红外芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及非制冷红外芯片领域，具体为一种非制冷红外芯片，包括：读出电路，读出电路的上方设置有像元微桥，且读出电路和像元微桥之间设置有金属电极，金属电极由金属钛和金属铝组成，金属钛设置有两层，金属铝设置在两组金属钛之间；金属钛较金属铝更加稳定和抗氧化，在多次湿法去胶清洗后，也不会发生钝化的情况，能够和上层金属钛很好地接触，从而不会产生直流电平测试坏点，另一方面，由于第三层金属钛厚度为150～250A，不会减弱对红外光的反射。
本实用新型一种非制冷红外芯片在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外芯片，其特征在于，包括： 读出电路1，所述读出电路1的上方设置有像元微桥2，且所述读出电路1和所述像元微桥2之间设置有金属电极8，所述金属电极8包括金属钛层81和金属铝层82，所述金属钛层81设置有两层，所述金属铝层82设置在两层所述金属钛层81之间。
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