山东有研艾斯半导体材料有限公司王春磊获国家专利权
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龙图腾网获悉山东有研艾斯半导体材料有限公司申请的专利一种单晶炉炉盖获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223633511U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423210976.X，技术领域涉及：C30B15/00；该实用新型一种单晶炉炉盖是由王春磊;吕振虎;陈浩;秦瑞锋;李洋;肖清华;闫志瑞设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶炉炉盖在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种单晶炉炉盖。在该炉盖上设有激光刻蚀装置，该激光刻蚀装置的激光穿过单晶炉的内导流筒与水冷套之间的间隙到达单晶硅棒表面，对单晶硅棒表面进行刻蚀。在单晶等径生长过程中，根据炉台晶体长度信号，间隔固定晶体长度，通过激光刻蚀装置在晶棒表面进行刻蚀。拉晶完成后测量各刻蚀位置间距，将单晶的实际长度和数据记录长度进行对应。本实用新型通过在传统单晶炉结构中增加激光刻蚀装置实现在晶体表面进行标记，有效将单晶硅棒的实际长度和数据记录长度进行对应，校准长度误差。
本实用新型一种单晶炉炉盖在权利要求书中公布了：1.一种单晶炉炉盖，其特征在于，在该炉盖上设有激光刻蚀装置，该激光刻蚀装置的激光穿过单晶炉的内导流筒与水冷套之间的间隙到达单晶硅棒表面，对单晶硅棒表面进行刻蚀。
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