甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利沉积管路结构和沉积设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223633459U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422924932.7,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型沉积管路结构和沉积设备是由何正鸿;夏锦枫;高滢滢;陈泽设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积管路结构和沉积设备在说明书摘要公布了:本申请涉及一种沉积管路结构和沉积设备,涉及半导体设备技术领域,该沉积管路结构包括导通主体,导通主体用于设置在反应腔室的侧壁上,且导通主体内设置有相互隔离的第一管路和第二管路,第一管路和第二管路均贯通导通主体,并连通至反应腔室,第一管路的路径长度小于第二管路的路径长度,其中,第一管路用于输送第一反应气体,第二管路用于输送第二反应气体。相较于现有技术,本实用新型通过不同路径长度的第一管路和第二管路输送不同的反应气体,能够使得不同的反应气体输入反应腔室的时机不同,从而避免气体与腔内物质发生不必要的物理化学反应,保证了沉积效果。
本实用新型沉积管路结构和沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种沉积管路结构,其特征在于,包括导通主体,所述导通主体用于设置在反应腔室的侧壁上,且所述导通主体内设置有相互隔离的第一管路和第二管路,所述第一管路和所述第二管路均贯通所述导通主体,并连通至所述反应腔室,所述第一管路的路径长度小于所述第二管路的路径长度,其中,所述第一管路用于输送第一反应气体,所述第二管路用于输送第二反应气体。
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